Обзор эпитаксиальной пластинки SiC

4-дюймовые (100 мм) SiC эпитаксиальные пластины продолжают играть важную роль на рынке полупроводников,служит очень зрелой и надежной платформой для производителей силовой электроники и радиочастотных устройств во всем миреРазмер пластины 4 ′′ обеспечивает превосходный баланс между производительностью, доступностью и рентабельностью, что делает ее основным выбором отрасли для производства среднего и высокого объема.

Си-Си эпитаксиальные пластинки состоят из тонкого, точно контролируемого слоя карбида кремния, отложенного на высококачественном монокристаллическом субстрате Си-Си. Эпитаксиальный слой сконструирован для равномерного допинга,превосходное кристаллическое качествоС широким диапазоном (3,2 eV), высоким критическим электрическим полем (~ 3 MV / cm) и высокой теплопроводностью,4 ′′ Си Си эпитаксиальные пластины позволяют устройствам, которые превосходят кремний в высоком напряжении, высокочастотных и высокотемпературных применений.

Многие отрасли промышленности, от электромобилей до солнечной энергии и промышленных приводов, продолжают полагаться на эпитаксиальные пластины 4SiC для производства эффективной, надежной и компактной силовой электроники.

Принцип производства

Производство эпитаксиальных пластин 4 ∆ SiC предполагает высококонтролируемуюХимическое отложение паров (CVD)процесс:

1. Подготовка субстрата
   Высокочистые субстраты 4H-SiC или 6H-SiC подвергаются передовой химико-механической полировке (CMP), чтобы создать атомно гладкую поверхность, минимизируя дефекты во время эпитаксиального роста.

2. Рост эпитаксиального слоя
   В реакторах СВД такие газы, как силан (SiH4) и пропан (C3H8), вводятся при высоких температурах (~ 1600~1700 °C).образует новый кристаллический слой SiC.

3. Контролируемый допинг
   Допирующие вещества, такие как азот (n-тип) или алюминий (p-тип), тщательно вводятся для настройки электрических свойств, таких как сопротивляемость и концентрация носителя.

4. Точное наблюдение
   Наблюдение в режиме реального времени обеспечивает строгий контроль единообразия толщины и профилей допинга на всей 4 ′′ пластине.

5. Контроль качества после обработки
   Оконченные пластины проходят строгие испытания:

   • Микроскопия атомных сил (AFM) для определения шероховатости поверхности

   • Спектроскопия Рамана на стрессы и дефекты

   • Рентгеновская дифракция (XRD) для кристаллографического качества

   • Фотолюминесценция для картографирования дефектов

   • Измерения дуги/светкости

Спецификации

Заявления

4 ∆ Си-Ц эпитаксиальные пластинки позволяют массовое производство надежных силовых устройств в таких секторах, как:

• Электрические транспортные средства (EV)
  Инверторы тяги, бортовые зарядные устройства и преобразователи постоянного тока.

• Возобновляемая энергия
  Инверторы солнечных батарей, преобразователи ветровой энергии.

• Промышленные приводы
  Эффективные двигатели, сервосистемы.

• Инфраструктура 5G / RF
  Усилители мощности и радиочастотные переключатели.

• Потребительская электроника
  Компактные, высокоэффективные источники питания.

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

1Зачем выбирать Си-Си эпитаксиальные пластинки вместо кремния?
SiC обеспечивает более высокую толерантность к напряжению и температуре, что позволяет использовать более мелкие, быстрые и более эффективные устройства.

2. Какой самый распространенный политип SiC?
4H-SiC является предпочтительным выбором для большинства высокомощных и радиочастотных приложений из-за его широкой полосы пропускания и высокой мобильности электронов.

3Можно ли настроить профиль допинга?
Да, уровень допинга, толщина и сопротивляемость могут быть полностью адаптированы к потребностям приложения.

4Типичное время?
Стандартное время выполнения поставки составляет 4−8 недель, в зависимости от размера пластины и объема заказа.

5Какие проверки качества проводятся?
Всестороннее тестирование, включая AFM, XRD, картографирование дефектов, анализ концентрации носителя.

6Эти пластинки совместимы с оборудованием для производства кремния?
В большинстве случаев да; требуются незначительные корректировки из-за разной твердости материала и тепловых свойств.

Сопутствующие продукты

12-дюймовая пластина с Си-Си 300 мм пластина с карбидом кремния Проводящая фиктивная степень N-тип исследовательский класс

4H/6H P-type Sic Wafer 4inch 6inch Z Grade P Grade D Grade Off Axis 2.0°-4.0° В сторону допинга типа P