| Наименование марки: | ZMSH |
| Номер модели: | Оборудование для ионной имплантации полупроводников |
| MOQ: | 1 |
| цена: | by case |
| Детали упаковки: | Пользовательские коробки |
| Условия оплаты: | Т/Т |
Структура и ![]()
8-дюймовых пластинТолщина тонкой пленки: 300–600 нмОтклонение
8-дюймовых пластин (стр. 9):Диапазон
![]()
LNOIИзготовление пластин ниобата лития на изоляторе (LNOI) включает в себя сложную серию этапов, сочетающих материаловедение и передовые технологии производства. Процесс направлен на создание тонкой, высококачественной пленки ниобата лития (LiNbO₃), приклеенной к изолирующей подложке, такой как кремний или сам ниобат лития. Ниже приводится подробное описание процесса:
Шаг 1: Ионная имплантация
Энергия ионов гелия тщательно контролируется для достижения желаемой глубины в кристалле. По мере прохождения ионов через кристалл они взаимодействуют с решетчаточной структурой материала, вызывая атомные нарушения, которые приводят к образованию ослабленного слоя, известного как «имплантационный слой». Этот слой в конечном итоге позволит разделить кристалл на два отдельных слоя, где верхний слой (называемый Слоем А) становится тонкой пленкой ниобата лития, необходимой для LNOI.
Толщина этой тонкой пленки напрямую зависит от глубины имплантации, которая контролируется энергией ионов гелия. Ионы образуют гауссово распределение на границе раздела, что имеет решающее значение для обеспечения однородности конечной пленки.
Шаг 2: Подготовка подложки
![]()
![]()
Для подготовки подложки на поверхность кремниевой подложки обычно наносится изолирующий слой SiO₂ (диоксида кремния) с использованием таких методов, как термическое окисление или PECVD (плазменно-усиленное химическое осаждение из газовой фазы). Этот слой служит изоляционной средой между пленкой ниобата лития и кремниевой подложкой. В некоторых случаях, если слой SiO₂ недостаточно гладкий, применяется процесс химико-механической полировки (CMP) для обеспечения равномерности поверхности и готовности к процессу склеивания.
Шаг 3: Склеивание тонкой пленки
![]()
При склеивании пластин кристалл ниобата лития и подложка подвергаются высокому давлению и температуре, что приводит к прочному сцеплению двух поверхностей. Процесс прямого склеивания обычно не требует каких-либо адгезивных материалов, и поверхности склеиваются на молекулярном уровне. В исследовательских целях бензоциклобутен (BCB) может использоваться в качестве промежуточного связующего материала для обеспечения дополнительной поддержки, хотя он обычно не используется в коммерческом производстве из-за его ограниченной долгосрочной стабильности.
Шаг 4: Отжиг и разделение слоев
![]()
Во время отжига склеенная пластина нагревается до определенной температуры и выдерживается при этой температуре в течение определенного времени. Этот процесс не только укрепляет межфазные связи, но и вызывает образование микропузырьков в имплантированном слое. Эти пузырьки постепенно приводят к отделению слоя ниобата лития (Слой А) от исходного массивного кристалла ниобата лития (Слой B).
После разделения слоев используются механические инструменты для разделения двух слоев, оставляя тонкую, высококачественную пленку ниобата лития (Слой А) на подложке. Температура постепенно снижается до комнатной, завершая процесс отжига и разделения слоев.
Шаг 5: Планаризация CMP
![]()
Процесс CMP необходим для получения высококачественной отделки пластины, что критически важно для последующего изготовления устройств. Поверхность полируется до очень мелкого уровня, часто с шероховатостью (Rq) менее 0,5 нм, измеренной атомно-силовой микроскопией (AFM).
Вопросы и ответы
![]()
Нет.Танталат лития (LiTaO₃) и ниобат лития (LiNbO₃) — это разные материалы с различным химическим составом (Ta против Nb), но они имеют схожую кристаллическую структуру (пространственная группа R3c) и сегнетоэлектрические свойства.
(пространственная группа R3c), отличающейся от канонической перовскитной структуры ABX₃. Нет.
Ниобат лития кристаллизуется в неперовскитной структуре
(пространственная группа R3c), отличающейся от канонической перовскитной структуры ABX₃. Однако он проявляет перовскитоподобное сегнетоэлектрическое поведение благодаря своей кислородно-октаэдрической структуре, подобной ABO₃.