Плоскость C (0001), Плоскость A (11–20), Плоскость R (1–102) или Пользовательский
Форма подложки:
Круглый, квадратный, прямоугольный или пользовательский
Процесс металлизации:
Напыление, испарение или другие квалифицированные процессы
Адгезионный слой:
Ti, Cr или другие указанные материалы
Барьерный слой:
Ni, Pt или другие материалы, в зависимости от конструкции
Поставка способности:
По случаю
Выделить:
Metallized sapphire substrates for RF devices
,
Microwave microelectronic sapphire substrates
,
Sapphire substrates with metallized coating
Характер продукции
Product Overview Metallized sapphire substrates are functional substrate materials manufactured by depositing metallic thin films onto high-purity single-crystal sapphire (Al₂O₃). By combining the excellent electrical insulation, high hardness, chemical stability, and thermal stability of sapphire with the functional properties of metal films, these substrates provide a versatile solution for advanced electronic devices, RF components, optoelectronic systems, and semiconducto