Вафля кремниевого карбида фабрика, купить хорошее качество Вафля кремниевого карбида продукты из Китая

Пожалуйста, оставьте правильный адрес электронной почты и подробные требования (20-3000 символов).

Хорошо

Категории Новые

Контакты

Контакты:	Mr. Wang
Телефон:	+8615801942596

контакт

Кристаллический диаметр семян SiC 153 мм 155 мм 203 мм 205 мм 208 мм PVT
Лучшая цена
Кристаллы семян SiC, особенно диаметром 153, 155, 205, 203 и 208 мм
Лучшая цена
Высокая чистота полуизоляционный HPSI SiC порошок/99.9999% чистота кристаллического роста
Лучшая цена
6-дюймовый проводящий однокристаллический SIC на поликристаллическом SIC композитном субстрате
Лучшая цена
SiC Wafer 12 дюймов 300 мм Толщина 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Для полупроводников
Лучшая цена
4h-N 100um Кремниевой карбид абразивный порошок для SIC кристаллического роста
Лучшая цена
12-дюймовая пластинка Си-Си пластинка Кремниевого карбида 300 мм субстрат 750±25um 4H-N Тип ориентации 100 Производство исследовательский класс
Лучшая цена
4H N Тип полутипа SiC Wafer 6inch 12inch SiC Wafer SiC субстрат ((0001) Двойная сторона полированная Ra≤1 nm Настройка
Лучшая цена
SiC Wafer 4 дюймов 12 дюймов 4H N Тип полутипа Производственный класс Исследовательский класс Любопытный класс DSP Настройка
Лучшая цена
8 дюймов 12 дюймов 4H-N Тип SiC толщина вафеля 500±25um 1000±50 N Допированный фиктивный прайм исследовательского класса
Лучшая цена
Си Си вафры 2/3/4/6/8 /12 дюймов 4H-N тип Z/P/D/R класс
Лучшая цена
12 дюймовый Си-Си-Вайфер 4H-N Dummy Research DSP SSP Си-Си-Сабстраты Силиконовый карбидный вафли
Лучшая цена
8-дюймовая 4H-N SiC вафель толщина 500±25μm или индивидуальная N-допированная фиктивная продукция исследовательского класса
Лучшая цена
Высококачественные SiC вафлы 2/3/4/6/8 дюймов 4H-N тип Z/P/D/R Недопированный
Лучшая цена
Си Си эпитаксиальная вафель Кремниевый карбид 4H 4 дюймов 6 дюймов высокая резистивность полупроводниковой промышленности
Лучшая цена