 |
фильмы ниобата лития вафли 2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3 тонкие наслаивают на субстрат кремния
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | ZMKJ |
| Сертификация: | ROHS |
| Номер модели: | JZ-2inch 3inch 4inch INCH-LNOI |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1pcs |
|---|---|
| Цена: | by case |
| Упаковывая детали: | одиночный контейнер вафли в комнате чистки |
| Время доставки: | 4 недели |
| Условия оплаты: | T/T, западное соединение, PayPal |
| Поставка способности: | 10pcs/month |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Слой LiNbO3 на субстрате кремния | Толщина слоя: | 300-1000nm |
|---|---|---|---|
| ориентация: | X-CUT | Ра: | 0.5nm |
| Слой изоляции: | Sio2 | Субстрат: | 525um |
| Размер: | 2inch 3inch 4inch 8inch | Название продукта: | LNOI |
| Высокий свет: | вафля ниобата лития 4inch,Вафля ниобата лития тонкого фильма LNOI,Субстрат кремния LiNbO3 |
||
Характер продукции
фильмы ниобата лития вафли 2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3 тонкие наслаивают на субстрат кремния
Процесс подготовки вафли LNOI показан ниже, включая следующие 5 шагов:
(1) вживление иона: Машина вживления иона использована для того чтобы управлять с высокой энергией им ионы от верхней поверхности кристалла ниобата лития. Когда он ионы со специфической энергией войдет кристалл, они будут помешаны атомами и электронами в кристалле LN и постепенно замедлить и остаться на специфическом положении глубины, разрушая кристаллическую структуру около этого положения и разделяя кристалл LN в верхние и более низкие слои A/B. И зона a идет быть тонким фильмом что нам нужно сделать LNOI.
(2) подготовка субстрата: Для того чтобы сделать вафли ниобата лития тонкого фильма, определенно не возможно выйти сотни фильмов nm LN тонких в приостанавливанное государство. Кладя в основу поддерживая материалы необходимы. В общих вафлях SOI, субстрат слой кремниевых пластин с толщиной больше чем 500um, и после этого слой диэлектрика SiO2 подготовлен на поверхности. В конце концов, фильм monocrystalline кремния тонкий скреплен на верхней поверхности для того чтобы сформировать вафли SOI. Как для вафель LNOI, Si и LN обыкновенно используемые субстраты, и после этого слой диэлектрика SiO2 подготовлен термальным процессом кислорода или низложения PECVD. Если поверхность слоя диэлектрика неровна, то химический механический меля процесс CMP необходим для того чтобы сделать верхнюю поверхность ровным и ровным, которая удобна для последующего скрепляя процесса.
(3) выпуск облигаций фильма: Используя прибор выпуска облигаций вафли, ион имплантировал кристалл LN обращен 180 градусов и скрепил к субстрату. Для продукции вафли ровной, скрепляя поверхности обоих субстратов и LN приглажены, обычно сразу выпуском облигаций без потребности для промежуточных материалов связывателя. Для научного исследования, BCB (benzocyclobutene) можно также использовать как материал связывателя промежуточного слоя для того чтобы достигнуть для того чтобы умереть для того чтобы умереть выпуск облигаций. Режим BCB скрепляя имеет низкое требование на гладкости скрепляя поверхности, которая очень соответствующая для экспериментов по научного исследования. Однако, BCBS не имеют долгосрочную стабильность, поэтому выпуск облигаций BCB обычно не использован в продукции вафли
(4) обжигать и обнажать: После 2 кристаллических поверхностей скрепите и необходим прессованный, высокотемпературный процесс отжига и обнажать. После того как поверхность 2 кристаллов приспособлена, она сперва поддерживает некоторое время на специфической температуре усилить силу выпуска облигаций интерфейса, и делает впрыснутый пузырь слоя иона, так, что фильмы a и b постепенно будут отделены. В конце концов, механическое оборудование использовано для того чтобы слезть 2 фильма врозь, и после этого постепенно уменьшить температуру к комнатной температуре для выполнения всего процесса отжига и обнажать.
(5) сплющивать CMP: После обжигать, поверхность вафли LNOI груба и неровна. Более дополнительный сплющивать CMP необходим для того чтобы сделать фильм на квартире поверхности вафли и уменьшить шероховатость поверхности.
Характерная спецификация
| 300-900 фильмов ниобата лития nm тонких (LNOI) | ||||
| Верхний функциональный слой | ||||
| Диаметр | 3, 4, (6) дюйм | Ориентация | X, z, y etc. | |
| Материал | LiNbO3 | Толщина | 300-900 nm | |
| Данный допинг (опционный) | MgO | |||
| Слой изоляции | ||||
| Материал | SiO2 | Толщина | 1000-4000 nm | |
| Субстрат | ||||
| Материал | Si, LN, кварц, сплавленный кремнезем etc. | |||
| Толщина | 400-500 μm | |||
| Опционный слой электрода | ||||
| Материал | Pt, Au, Cr | Толщина | 100-400 nm | |
| Структура | Над или под слоем изоляции SiO2 | |||
Применение LN-На-кремния
1, связь стекловолокна, как модулятор/демодулятор волновода, etc. сравнили с традиционными продуктами, том приборов произведенных путем использование этого материала тонкого фильма может быть уменьшен к больше чем миллион времен, интеграция значительно улучшена, ширина полосы частот ответа широка, расход энергии низок, представление более стабилизировано, и производительные расходы уменьшены.
2, электронные устройства, как высококачественные фильтры, линии задержки, etc.
3, информационная память, и могут осуществить информационную память высокой плотности, емкость информационной памяти фильма 3 дюймов 70 t (CD 100000)
Дисплей фильмов вафли ниобата лития тонких наслаивает на субстрат кремния
