Полуизоляционный карбид кремниевого карбида Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um

Полуизоляционный карбид кремниевого карбида Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: China
Фирменное наименование: ZMSH
Сертификация: ROHS
Номер модели: Silicon Carbide

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Время доставки: 2 weeks
Условия оплаты: 100%T/T
Поставка способности: 10000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Резистивность: Высокая резистивность Диаметр: 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
Плоскостность: Lambda/10 Тип: 4H-Semi-insulting/6H-Semi-insulting
Проводимость: Высокая проводимость Частица: Свободная/низкая частица
Шероховатость поверхности: ≤0.2nm примесь: Свободная/низкая примесь
Высокий свет:

Кремниевая карбидная пластина высокой температуры

,

полуизоляционный SiC субстрат

,

субстрат 6inch Sic

Характер продукции

Описание продукта:

ЗМШ — инновационный производитель и поставщик пластин SiC-подложек

Являясь ведущим производителем и поставщиком подложек SiC (карбида кремния), ZMSH не только предлагает лучшие цены на рынке за 2-дюймовые и 3-дюймовые подложки из карбида кремния исследовательского класса, но также предлагает инновационные решения для электронных устройств с высокой мощностью и высокочастотный светодиод (LED).

Светоизлучающий диод (LED) — это энергосберегающий источник холодного света, в котором используются полупроводниковые электроны и дырки в сочетании с электронными компонентами.В последние годы широкое применение светодиодного освещения получило признание благодаря его многочисленным преимуществам.

Для клиентов, которые ищут надежного производителя и поставщика пластин SiC-подложек, ZMSH является универсальным решением, способным удовлетворить все их потребности.

 

Функции:

Монокристалл карбида кремния (SiC) обладает превосходными свойствами теплопроводности, высокой подвижностью электронов насыщения и высоким сопротивлением пробою под напряжением.

Он подходит для изготовления высокочастотных, мощных, высокотемпературных и радиационно-стойких электронных устройств.

Монокристалл SiC обладает множеством превосходных свойств, таких каквысокая теплопроводность, высокая подвижность насыщенных электронов,исильный противонапряженный пробой.Подходит для приготовлениявысокая частота, высокая мощность, высокая температураирадиационно-стойкие электронные устройства.

 

Технические параметры:

Название продукта: Подложка карбида кремния, пластина карбида кремния, пластина SiC, подложка SiC

Метод роста: MOCVD

Кристаллическая структура: 6H, 4H

Параметры решетки: 6H(a=3,073 Å c=15,117 Å), 4H(a=3,076 Å c=10,053 Å)

Последовательность укладки: 6H: ABCACB, 4H: ABCB.

Оценка: производственная оценка, исследовательская оценка, фиктивная оценка

Тип проводимости: N-тип или полуизолирующий

Ширина запрещенной зоны: 3,23 эВ

Твердость: 9,2 (МОС)

Теплопроводность при 300К: 3,2~4,9 Вт/см∙К.

Диэлектрическая проницаемость: e(11)=e(22)=9,66 e(33)=10,33

Сопротивление:

  • 4H-SiC-N: 0,015~0,028 Ом·см,
  • 6H-SiC-N: 0,02~0,1 Ом·см,
  • 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ом·см

Упаковка: чистый мешок класса 100, в чистой комнате класса 1000.

 

Приложения:

 

Пластина карбида кремния (пластина SiC) — идеальный материал для автомобильной электроники, оптоэлектронных устройств и промышленного применения.Пластина SiC состоит из подложки SiC типа 4H-N и полуизолирующей подложки SiC.

В автомобильной промышленности пластины SiC могут применяться в микропроцессорах насосов, микрокомпьютерах, устройствах управления двигателями и других электронных устройствах автомобилей и автобусов.Например, его можно использовать в управлении двигателем, тормозной системой, системами подушек безопасности и расширенным управлением кузовом.Пластины SiC могут изготавливаться с разными слоями разных материалов, что делает их полезными для более чем одной функции.

Кроме того, пластина SiC широко используется в оптоэлектронных устройствах, таких как лазеры, детекторы, светодиоды, детекторы оптического усиления, суперлюминесцентный излучатель, фотодетекторы и другие оптоэлектронные компоненты.Кроме того, в промышленных приложениях пластина SiC может использоваться для генерации, обмена и передачи оптической энергии, включая солнечную, световую и мониторинг неисправностей, а также для других волоконно-оптических устройств.

 

Поддержка и услуги:

 

Техническая поддержка и обслуживание пластин карбида кремния

Мы предоставляем комплексную техническую поддержку и обслуживание пластин карбида кремния.Наша команда технической поддержки состоит из опытных инженеров и технических специалистов, которые готовы предоставить вам необходимую помощь и совет.

Мы предоставляем широкий спектр услуг, включая техническую поддержку, устранение неполадок, установку, обслуживание и ремонт.Мы также можем предоставить индивидуальные решения для любых ваших потребностей.Наши специалисты хорошо разбираются в новейших технологиях и могут помочь вам максимально эффективно использовать вашу пластину карбида кремния.

У нас широкая сеть партнеров и поставщиков, поэтому мы можем предоставить вам лучшие цены и поддержку.Мы стремимся предоставить вам высочайший уровень обслуживания клиентов, и мы стремимся удовлетворить ваши потребности и превзойти ваши ожидания.

Если у вас есть какие-либо вопросы или вам нужна помощь, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.Мы с нетерпением ждем возможности помочь вам получить максимальную отдачу от вашей пластины карбида кремния.

 

Упаковка и доставка:

 

Упаковка и доставка пластин карбида кремния

Пластины карбида кремния (SiC) представляют собой тонкие пластинки полупроводникового материала, которые в основном используются в силовой электронике.Чтобы пластины не были повреждены во время транспортировки, важно следовать надлежащим инструкциям по упаковке и транспортировке.

Упаковка

  • Пластины должны поставляться в упаковке, защищенной от электростатического разряда.
  • Каждая пластина должна быть обернута материалом, безопасным для электростатического разряда, например пенопластом или пузырчатой ​​пленкой.
  • Упаковка должна быть запечатана антистатической лентой.
  • Упаковка должна быть маркирована символом защиты от электростатического разряда и наклейкой «Хрупкое».

Перевозки

  • Посылка должна быть отправлена ​​надежной курьерской службой.
  • Посылку следует отслеживать, чтобы обеспечить ее благополучное прибытие в пункт назначения.
  • На упаковке должен быть указан правильный адрес доставки и контактная информация.

Полуизоляционный карбид кремниевого карбида Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um 0Полуизоляционный карбид кремниевого карбида Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um 1Полуизоляционный карбид кремниевого карбида Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um 2

ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ:

 

Вопрос: Что такое пластина карбида кремния?
Ответ: Пластина карбида кремния представляет собой полупроводниковый материал, состоящий из атомов кремния и углерода, связанных вместе в кристаллической решетке.
Вопрос: Какова торговая марка пластины карбида кремния?
A: Торговая марка пластины карбида кремния — ZMSH.
Вопрос: Какой номер модели пластины из карбида кремния?
A: Номер модели пластины из карбида кремния — карбид кремния.
Вопрос: Откуда берется пластина карбида кремния?
Ответ: пластина карбида кремния из Китая.
Вопрос: Каков минимальный объем заказа пластин карбида кремния?
О: Минимальное количество заказа пластин карбида кремния составляет 5 штук.
Вопрос: Как долго длится доставка пластин из карбида кремния?
О: срок поставки пластин из карбида кремния составляет 2 недели.
Вопрос: Каковы условия оплаты пластин карбида кремния?
О: Условия оплаты пластины из карбида кремния составляют 100% банковский перевод.
Вопрос: Каковы возможности поставки пластин карбида кремния?
A: Возможность поставки пластин из карбида кремния составляет 100000.

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Полуизоляционный карбид кремниевого карбида Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.