Светлый цвет Кристаллическая структура 4H-SiC 6H-SiC Полуизоляция SiC Высокая механическая твердость
Подробная информация о продукте:
Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | ZMSH |
Номер модели: | Полуизоляционный СиК |
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: | 5 |
---|---|
Время доставки: | 2-4 недель |
Условия оплаты: | T/T |
Подробная информация |
|||
Polytype: | 4H 6H | Сопротивляемость (RT) Грубость поверхности: | > 1E5 Ω.cm |
---|---|---|---|
Шероховатость поверхности: | 0.5 нм (Si-face CMP Epi-ready) | FWHM: | A<30 дуговой секунды |
TTV: | < 25мм | смычок: | < 25мм |
искривление: | < 25мм | Основная плоская ориентация: | < 11-20> + 5,0° |
Поверхностная отделка: | Однолистные или двулистные | Годная к употреблению область: | ≥ 90% |
Высокий свет: | Высокая механическая твердость полуизоляционный SiC,Кристаллическая структура 4H-SiC,полуизоляционные пластинки SiC |
Характер продукции
Резюме
4-HПолуизоляционный СиКСубстрат представляет собой высокопроизводительный полупроводниковый материал с широким спектром применений.Этот субстрат имеет исключительные электрические характеристики., включая высокую сопротивляемость и низкую концентрацию носителя, что делает его идеальным выбором для радиочастотных (RF), микроволновых и мощных электронных устройств.
Основные особенности 4-HПолуизоляционный СиКСубстрат обладает высокоравномерными электрическими свойствами, низкой концентрацией примесей и исключительной теплостойкостью.Эти атрибуты делают его подходящим для изготовления высокочастотных RF устройств питания, высокотемпературные электронные датчики и микроволновое электронное оборудование.Его высокая прочность поля разложения и отличная теплопроводность также позиционируют его как предпочтительный субстрат для высокомощных устройств.
Кроме того, 4-HПолуизоляционный СиКСубстрат демонстрирует отличную химическую устойчивость, что позволяет ему работать в коррозионной среде и расширяет спектр применений.Он играет решающую роль в таких отраслях, как производство полупроводников., телекоммуникаций, обороны и высокоэнергетических физических экспериментов.
Вкратце, 4-HПолуизоляционный СиКсубстрат с его выдающимися электрическими и тепловыми свойствами,имеет значительные перспективы в области полупроводников и обеспечивает надежную основу для производства высокопроизводительных электронных устройств.
Свойства
Электрические устройства высокой мощности:Полуизоляционный СиКидеально подходит для высокомощных и высокочастотных электронных устройств из-за высокого разрывного напряжения и высокой теплопроводности.
РЧ-устройства: из-за высокой теплопроводности и низких потерь,Полуизоляционный СиКиспользуется в радиочастотных устройствах, таких как усилители микроволновой мощности и радиочастотные транзисторы.
Оптоэлектронные устройства:Полуизоляционный СиКтакже обладает отличными оптоэлектронными свойствами, что делает его подходящим для производства светодиодов, лазеров и фотодетекторов.
Электронные устройства в условиях высокой температуры: высокая температура плавления и отличная химическая устойчивостьПолуизоляционный СиКшироко используется в электронных устройствах, работающих в условиях высокой температуры, таких как аэрокосмическая, автомобильная и промышленная системы управления процессами.
Устройства, отвержденные радиацией:Полуизоляционный СиКявляется высокоустойчивым к радиации, что делает его подходящим для радиоустойчивых электронных устройств в ядерных реакторах и космических приложениях.
Датчики: уникальные свойстваПолуизоляционный СиКМатериал делает его подходящим для производства различных типов датчиков, таких как датчики температуры, датчики давления и химические датчики.
Особенности:
Высокая сопротивляемость:Полуизоляционный СиКобладает очень высоким сопротивлением, что означает, что он может эффективно препятствовать потоку электрического тока, что делает его подходящим для использования в качестве изоляционного слоя в высокомощных электронных устройствах
Высокая теплопроводность:SiCМатериал имеет очень высокую теплопроводность, что помогает быстро и эффективно рассеивать тепло из устройств, тем самым повышая производительность и надежность устройств.
Высокое разрывное напряжение:Полуизоляционный СиКимеет очень высокое разрывное напряжение, что означает, что он может работать в высоковольтных приложениях без возникновения электрического сбоя.
Отличная химическая стабильность:SiCостается химически устойчивым при широком диапазоне температур и высоко устойчив к большинству кислот и оснований.
Высокая температура плавления:SiCимеет исключительно высокую температуру плавления, примерно 2730°C (4946°F), что позволяет ему поддерживать стабильность в условиях экстремальной высокой температуры.
Толерантность к излучению: полуизоляцияSiCобладает высокой толерантностью к радиации, что делает его превосходным в ядерных реакторах и космических приложениях.
Отличные механические свойства:SiCЭто очень жесткий материал, отличная износостойкость и высокая прочность.
Широкополосный полупроводник:SiCявляется широкополосным полупроводником, отличающимся высокой мобильностью электронов и низким утечкой тока, что приводит к выдающейся производительности в высокотемпературных и высокочастотных электронных устройствах.
Недвижимость | Описание |
Высокая сопротивляемость | Обладает очень высокой электрической сопротивляемостью, действуя как эффективный изолятор в высокомощных электронных устройствах. |
Высокая теплопроводность | Быстро и эффективно рассеивает тепло, повышая производительность и надежность устройства. |
Высокое разрывное напряжение | Может работать в условиях высокого напряжения без электрического сбоя. |
Отличная химическая устойчивость | Сохраняет стабильность в широком диапазоне температур и высоко устойчив к большинству кислот и оснований. |
Высокая температура плавления | Сохраняет стабильность в условиях высокой температуры с температурой плавления около 2,730В пленC (4,946В пленF). |
Толерантность к радиации | Проявляет высокую устойчивость к радиации, подходит для использования в ядерных реакторах и космических приложениях. |
Отличные механические свойства | Очень твердый материал, обеспечивающий выдающуюся износостойкость и высокую прочность. |
Широкополосный полупроводник | Хорошо работает при высоких температурах и высоких частотах из-за высокой мобильности электронов и низкого тока утечки. |
Упаковка и перевозка:
Кремниекарбидные (SiC) пластинки - это тонкие ломтики полупроводникового материала, используемые в основном для электротехники.Важно следовать инструкциям по упаковке и перевозке..
Опаковка
- Пластинки должны быть отправлены в безопасной упаковке ESD.
- Каждый пластинка должна быть упакована в безопасный для ESD материал, такой как ESD пена или пузырьков оберток.
- Упаковка должна быть запечатана защитной лентой ESD.
- Упаковка должна быть маркирована с символом безопасности ESD и наклейкой "Хрупкий".