 |
Кремниевая пластина толщина 4 дюйма 500+/-20 Сопротивляемость 1-10 ом·см Ориентация100 двойной стороной полировки
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | КНР |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
| Номер модели: | ВАФЛЯ SI |
Оплата и доставка Условия:
| Условия оплаты: | T/T |
|---|
|
Подробная информация |
|||
| Способ выращивания: | ФЗ | ориентация: | <111> |
|---|---|---|---|
| Неориентированность: | 4±0,5 градуса до ближайшего <110> | Тип/Dopant: | П/борон |
| Сопротивляемость: | 10-20 W.cm | РРВ: | ≤15% (макс. край-Cen) /Cen |
| TTV: | ≤ 5 мм | смычок: | ≤ 40 мм |
| искривление: | ≤ 40 мм | ||
| Высокий свет: | Ориентация100 Кремниевая пластина,500+/-20 Сопротивляемость Кремниевая пластина,4 дюйма толщины кремниевые пластины |
||
Характер продукции
Кремниевая пластина толщина 4 дюйма 500+/-20 Сопротивляемость 1-10 ом·см Ориентация100 двойной стороной полировки
Резюме продукта
Наш высокоточный сверхчистый кремниевый субстрат тщательно разработан, чтобы служить основой для высокопроизводительных полупроводниковых устройств.Изготовлен с использованием передовой технологии монокристаллического кремния плавающей зоны, этот субстрат обладает исключительной чистотой и однородностью, обеспечивая превосходные электронные свойства.наша подложка позволяет изготавливать передовые полупроводниковые устройства с повышенной надежностью и производительностьюНезависимо от того, используется ли он в интегральных схемах, силовой электронике или фотоэлектрических приложениях, наш кремниевый субстрат способствует инновациям в различных отраслях,продвижение технологий и техники.
Витрина продукции
Свойства продукта
-
Ультрачистый кремний: наш субстрат состоит из монокристаллического кремния плавающей зоны, обеспечивающего исключительный уровень чистоты, необходимый для высокопроизводительных полупроводниковых устройств.
-
-
Единая кристаллическая структура: субстрат имеет единую кристаллическую структуру, свободную от дефектов или нерегулярностей, обеспечивающую постоянные электрические свойства на всей поверхности.
-
-
Низкий уровень нечистоты: с тщательным контролем концентрации нечистоты, наш субстрат демонстрирует низкий уровень допантов и загрязнителей,минимизация нежелательных электронных эффектов и обеспечение надежности устройства.
-
-
Высокая тепловая стабильность: субстрат демонстрирует высокую тепловую стабильность, что позволяет надежно работать в широком диапазоне температур без ущерба для производительности или целостности.
-
-
Точный контроль размеров: Каждый подложка изготавливается с точным контролем размеров, обеспечивая постоянную толщину и плоскость для облегчения точных процессов изготовления устройства.
-
-
Отличное качество поверхности: наша подложка имеет гладкую и бездефектную поверхность, необходимую для отложения тонких пленок и формирования высококачественных интерфейсов устройств.
-
-
Настраиваемые спецификации: мы предлагаем целый ряд настраиваемых спецификаций, включая концентрацию допинга, сопротивляемость и ориентацию,для удовлетворения специфических требований различных применений полупроводников.
-
-
Совместимость с полупроводниковыми процессами: субстрат совместим с различными методами обработки полупроводников, включая эпитаксию, литографию и гравировку,обеспечивает бесперебойную интеграцию в существующие производственные процессы.
-
-
Электрическая производительность: наш субстрат обладает отличными электрическими свойствами, включая высокую подвижность носителя, низкие утечки токов и равномерную электрическую проводимость,необходимые для оптимизации производительности и эффективности устройства.
-
-
Надежность и долговечность: предназначены для долгосрочной надежности,наша подложка подвергается строгим мерам контроля качества, чтобы обеспечить постоянную производительность и долговечность на протяжении всего срока эксплуатации.
-
Спецификация FZ монокристаллического кремния
Тип Тип провода Ориентация Диаметр ((мм) Проводимость ((Ω•см) Высокое сопротивление Н&П <100>&<111> 76.2-200 > 1000 NT1 N <100>&<111> 76.2-200 30-800 CFZ Н&П <100>&<111> 76.2-200 1-50 ГД Н&П <100>&<111> 76.2-200 0.001-300 Спецификация пластинки
Параметр слитка Положение Описание Способ выращивания ФЗ Ориентация <111> Неориентированность 4±0,5 градуса до ближайшего <110> Тип/допант П/борон Сопротивляемость 10-20 W.cm РРВ ≤15% (макс. край-Cen) /Cen Параметр вафеля Положение Описание Диаметр 150±0,5 мм Толщина 675±15 мм Первичная плоская длина 570,5±2,5 мм Первичная плоская ориентация <011>±1 степень Вторичная плоская длина Никаких Вторичная плоская ориентация Никаких TTV ≤ 5 мм Поклонитесь. ≤ 40 мм Варп ≤ 40 мм Профиль края SEMI стандарт Передняя поверхность Химико-механическая полировка ЛПД ≥ 0,3 um@≤15 шт. Задняя поверхность Кислотно-этированные Чипсы Edge Никаких Пакет Вакуумная упаковка; внутренний пластик, внешний алюминий -
Применение продукции
Интегрированные схемы (IC): Наш высокоточный ультрачистый кремниевый субстрат служит основным строительным блоком для изготовления интегральных схем, используемых в широком спектре электронных устройств,включая смартфоны, компьютеров и автомобильной электроники.
Электроэлектроника: субстрат используется в устройствах с полупроводниками, таких как диоды, транзисторы и тиристоры,позволяет эффективно конвертировать и контролировать энергию в таких приложениях, как электромобили, системы возобновляемых источников энергии и промышленная автоматизация.
Фотоэлектрическая энергия (PV): наш субстрат играет решающую роль в производстве высокоэффективных солнечных элементов,обеспечивая стабильную и равномерную основу для отложения полупроводниковых слоев и металлических контактов, что приведет к повышению эффективности преобразования солнечной энергии.
Светоизлучающие диоды (LED): В производстве светодиодов наша субстрата служит платформой для эпитаксиального роста полупроводниковых слоев,обеспечение единообразия и надежности производительности светодиодов для таких приложений, как освещение, дисплеев и автомобильного освещения.
Микроэлектромеханические системы (MEMS): наш субстрат облегчает изготовление устройств MEMS, включая акселерометры, гироскопы и датчики давления,позволяет точное обнаружение и управление в потребительской электронике, автомобильных систем и медицинских изделий.
Радиочастотные (RF) устройства: субстрат используется в производстве RF устройств, таких как RF усилители, осцилляторы и фильтры, поддерживающие системы беспроводной связи, спутниковой связи,и радиолокационные системы с высокочастотным функционированием и надежностью.
Оптоэлектронные устройства: наш субстрат позволяет разрабатывать оптоэлектронные устройства, такие как фотодетекторы, оптические модуляторы и лазерные диоды,содействие применению в телекоммуникациях, передачи данных и оптического обнаружения.
Биомедицинские датчики: в биомедицинской инженерии наш субстрат используется для изготовления биодатчиков и биоэлектронных устройств для таких приложений, как медицинская диагностика,системы доставки наркотиков, и имплантируемые медицинские устройства.
Аэрокосмическая и оборонная: субстрат используется в аэрокосмических и оборонных приложениях, включая радарные системы, спутники связи и системы наведения ракет, где надежность, стабильность,и производительность имеют решающее значение в суровых условиях.
Появляющиеся технологии: наш субстрат поддерживает достижения в новых технологиях, таких как квантовые вычисления, нейроморфные вычисления и передовые датчики, стимулирующие инновации в вычислениях,искусственный интеллект, и сенсорные приложения.