 |
На алмазной пластине из нитрида галлия, эпитаксиальной HEMT и склеивании
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Сертификация: | ROHS |
| Номер модели: | GaN-ON-Даймонд |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 5шт |
|---|---|
| Цена: | by case |
| Упаковывая детали: | одиночная коробка контейнера вафли |
| Время доставки: | 2-6weeks |
| Условия оплаты: | Т/Т, Вестерн Юнион, МонейГрам |
| Поставка способности: | 500 шт в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | GaN-ON-Даймонд | Толщина: | 0~1мм |
|---|---|---|---|
| Ра: | <1нм | Теплопроводность: | >1200Вт/м.к |
| твердость: | 81±18 ГПа | Преимущество 1: | Высокая теплопроводность |
| Преимущество 2: | Устойчивость к коррозии | ||
| Высокий свет: | GaN на алмазной пластине,эпитаксиальная пластина нитрида галлия HEMT,алмазная пластина GaN 1 мм |
||
Характер продукции
изготовленный на заказ размер MPCVD, метод GaN&Diamond Heat Sink Wafers для зоны терморегулирования
По статистике, понижение температуры рабочего спая на 10°С может удвоить срок службы устройства.Теплопроводность алмаза в 3-3 раза выше, чем у обычных материалов для управления теплом (таких как медь, карбид кремния и нитрид алюминия).
10 раз.В то же время алмаз обладает такими преимуществами, как легкий вес, электрическая изоляция, механическая прочность, низкая токсичность и низкая диэлектрическая проницаемость, которые делают алмаз отличным материалом для рассеивания тепла.
• В полной мере используйте присущие алмазу тепловые характеристики, что легко решит проблему «рассеивания тепла», с которой сталкиваются электронные источники питания, силовые устройства и т. д.
По объему улучшите надежность и увеличьте удельную мощность.Как только «тепловая» проблема будет решена, полупроводник также будет значительно улучшен за счет эффективного улучшения характеристик управления тепловым режимом.
Срок службы и мощность устройства, в то же время, значительно снижают эксплуатационные расходы.
Комбинированный метод
- 1. Алмаз на GaN
- Выращивание алмаза на структуре GaN HEMT
- 2. GaN на алмазе
- Прямой эпитаксиальный рост структур GaN на алмазной подложке
- 3. Связь GaN/алмаз
- После подготовки GaN HEMT перенесите соединение на алмазную подложку.
Область применения
• Микроволновая радиочастота – связь 5G, радиолокационное предупреждение, спутниковая связь и другие приложения;
• Силовая электроника - интеллектуальная сеть, высокоскоростной железнодорожный транспорт, транспортные средства на новых источниках энергии, бытовая электроника и другие приложения;
Оптоэлектроника - светодиодные фонари, лазеры, фотодетекторы и другие приложения.
GaN широко используется в радиочастотах, быстрой зарядке и других областях, но его производительность и надежность связаны с температурой канала и эффектом джоулева нагрева.Обычно используемые материалы подложек (сапфир, кремний, карбид кремния) силовых приборов на основе GaN обладают низкой теплопроводностью.Это значительно ограничивает тепловыделение и требования к высокой мощности устройства.Опираясь только на традиционные материалы подложки (кремний, карбид кремния) и технологию пассивного охлаждения, трудно удовлетворить требования по рассеиванию тепла в условиях высокой мощности, что сильно ограничивает раскрытие потенциала силовых устройств на основе GaN.Исследования показали, что алмаз может значительно улучшить использование силовых устройств на основе GaN.Существующие проблемы теплового эффекта.
Алмаз обладает широкой запрещенной зоной, высокой теплопроводностью, высокой напряженностью поля пробоя, высокой подвижностью носителей, высокой термостойкостью, кислото- и щелочестойкостью, коррозионной стойкостью, радиационной стойкостью и другими превосходными свойствами.
Высокая мощность, высокая частота, высокотемпературные поля играют важную роль и считаются одним из наиболее перспективных полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной.
Алмаз на GaN
Мы используем микроволновое плазменное оборудование для химического осаждения из паровой фазы для достижения эпитаксиального роста поликристаллического алмазного материала толщиной <10 мкм на 50,8 мм(2 дюйма) HEMT на основе нитрида галлия на основе кремния.Для характеристики морфологии поверхности, качества кристаллов и ориентации зерен алмазной пленки использовали сканирующий электронный микроскоп и рентгеновский дифрактометр.Результаты показали, что морфология поверхности образца была относительно однородной, а алмазные зерна в основном демонстрировали (плохой) плоский рост.Более высокая ориентация плоскости кристалла.В процессе роста нитрид галлия (GaN) эффективно предотвращается от травления водородной плазмой, так что характеристики GaN до и после алмазного покрытия существенно не изменяются.
GaN на алмазе
В GaN на эпитаксиальном росте алмаза CSMH использует специальный процесс для выращивания AlN.
AIN в качестве эпитаксиального слоя GaN.CSMH в настоящее время имеет доступный продукт-
Epi-ready-GaN на алмазе (AIN на алмазе).
Соединение GaN/Алмаз
Технические показатели алмазных радиаторов CSMH и алмазных изделий на уровне пластин достигли мирового уровня.Шероховатость поверхности роста алмаза на уровне пластины составляет Ra<lnm, а теплопроводность алмазного радиатора составляет 1000_2000 Вт/мК Путем связывания с GaN температура устройства также может быть эффективно снижена, а стабильность и срок службы устройства могут быть улучшены.
В: Каковы ваши требования к минимальному заказу?
О: MOQ: 1 шт.
В: Сколько времени потребуется для выполнения моего заказа?
О: после подтверждения оплаты.
В: Можете ли вы дать гарантию на свою продукцию?
О: мы обещаем качество, если с качеством возникнут какие-либо проблемы, мы произведем новые продукты или вернем вам деньги.
В: Как оплатить?
A: T/T, Paypal, West Union, банковский перевод и/или гарантия оплаты на Alibaba и т. д.
В: Можете ли вы изготовить индивидуальную оптику?
О: Да, мы можем изготовить оптику на заказ.
Q: Если у вас есть какие-либо другие вопросы, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться ко мне.
Ответ: Тел.: 86-15801942596 или скайп: wmqeric@sina.cn