 |
вафля ХВПЭ нитрида галлия 5кс5/10кс10 Мм освобождает стоящий шаблон обломока промышленный
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | ГаН-ФС-К-У-К50-ССП |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 10pcs |
|---|---|
| Цена: | 1200~2500usd/pc |
| Упаковывая детали: | одиночный случай вафли пакетом вакуума |
| Время доставки: | 1-5weeks |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 50 шт в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Кристалл ГаН одиночный | Размер: | 10кс10/5кс5/20кс20ммт |
|---|---|---|---|
| Толщина: | 0.35mm | Тип: | Н типа |
| Применение: | полупроводниковое устройство | ||
| Высокий свет: | ган вафля,вафли фосфида галлия |
||
Характер продукции
шаблон субстратов 2инч ГаН, вафля для ЛеД, семикондуктинг вафля для льд, шаблон ГаН нитрида галлия ГаН, вафля моквд ГаН, свободно стоящие субстраты подгонянным размером, небольшая вафля для СИД, вафля 10кс10мм ГаН ГаН размера нитрида галлия моквд, 5кс5мм, вафля 10кс5мм ГаН, неполярные Фрестандинг субстраты ГаН (-самолет и м-самолет)
Характеристика вафли ГаН
| Продукт | Субстраты нитрида галлия (ГаН) | ||||||||||||||
| Характер продукции: |
Шаблон Сафхире ГаН метод (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида Эпитксял. В процессе ХВПЭ, кислота произвела реакцией ГаКл, которая в свою очередь прореагирована с амиаком к мельт нитрида галлия продукции. Эпитаксиальный шаблон ГаН рентабельный путь заменить субстрат одиночного кристалла нитрида галлия. |
||||||||||||||
| Технические параметры: |
|
||||||||||||||
| Спецификации: |
Эпитаксиальная пленка ГаН (самолет) к, Н типа, 2" * 30 микронов, сапфир; Эпитаксиальная пленка ГаН (самолет) к, Н типа, 2" * 5 микронов сапфира; Эпитаксиальная пленка ГаН (самолет) р, Н типа, 2" * 5 микронов сапфира; Эпитаксиальная пленка ГаН (самолет) м, Н типа, 2" * 5 микронов сапфира. Фильм АЛ2О3 + ГаН (Н типа данный допинг Си); Фильм АЛ2О3 + ГаН (П типа данный допинг Мг) Примечание: согласно ориентации и размеру штепсельной вилки покупательского спроса особенным. |
||||||||||||||
| Упаковка стандарта: | чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки |
Применение
ГаН можно использовать в много зон как дисплей СИД, с высокой энергией обнаружение и воображение,
Дисплей проекции лазера, прибор силы, етк.
- Дисплей проекции лазера, прибор силы, етк.
- Хранение даты
- С низким энергопотреблением освещение
- Дисплей фла полного цвета
- Лазер Проджекттионс
- Электронные устройства высокой эффективности
- Высокочастотные приборы микроволны
- С высокой энергией обнаружение и представляет
- Новая технология водопода солор энергии
- Обнаружение окружающей среды и биологическая медицина
- Диапазон терахэртц источника света
Спецификации:
| Неполярные Фрестандинг субстраты ГаН (-самолет и м-самолет) | ||
| Деталь | ГаН-ФС- | ГаН-ФС-м |
| Размеры | 5.0мм×5.5мм | |
| 5.0мм×10.0мм | ||
| 5.0мм×20.0мм | ||
| Подгонянный размер | ||
| Толщина | 350 µм ± 25 | |
| Ориентация | ± 1° -самолета | ± 1° м-самолета |
| ТТВ | µм ≤15 | |
| СМЫЧОК | µм ≤20 | |
| Тип кондукции | Н типа | |
| Резистивность (300К) | < 0=""> | |
| Плотность дислокации | Чем 5кс106 см-2 | |
| Годная к употреблению поверхностная область | > 90% | |
| Полировать | Лицевая поверхность: Ра < 0=""> | |
| Задняя поверхность: Точная земля | ||
| Пакет | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночных контейнерах вафли, под атмосферой азота. | |