 |
2 толщина вафли 0,3 зазора субстрата фосфида галлия дюйма кристаллических сложила поверхность
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | 2inch |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 5 шт |
|---|---|
| Цена: | BY CASE |
| Упаковывая детали: | одиночная коробка вафли |
| Время доставки: | 2-4 Weeks |
| Условия оплаты: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Поставка способности: | ТИПСЫ |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | кристалл очищенности 99,99% одиночный | Ориентация: | 111 |
|---|---|---|---|
| Размер: | 2inch | поверхность: | сложенный |
| Толщина: | 300um | Применение: | электронная и электронно-оптическая индустрия |
| Метод роста: | LEC | ||
| Высокий свет: | субстрат вафли,вафля полупроводника |
||
Характер продукции
кристаллы кристаллический субстрат фосфида галлия 2-6 дюймов (зазора), вафля зазора
Консервная банка ЗМКДЖ обеспечивает вафлю зазора 2инч – фосфид галлия которые растутся ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).
Фосфид галлия (зазор), фосфид галлия, материал сложного полупроводника с зазором косвенного диапазона 2.26еВ (300К). Поликристаллический материал имеет возникновение бледных оранжевых частей. Ундопед одиночные кристаллические вафли появляются ясный апельсин, но сильно данные допинг вафли появляются более темное должное к абсорбции свободно-несущей. Она непахуча и неразрешима в воде. Сера или теллурий использованы как допанц для произведения н типа полупроводников. Цинк использован как допант для п типа полупроводника. Фосфид галлия имеет применения в оптических системах. Свой Р.И. между 4,30 на 262 нм (УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ), 3,45 на 550 нм (зеленый цвет) и 3,19 на 840 нм (инфракрасн).
высококачественная вафля зазора одиночного кристалла (фосфид галлия) к электронной и электронно-оптической индустрии в диаметре до 2 дюйма. Кристалл фосфида галлия (зазора) оранжево-желтый полу-просвечивающий материал сформированный 2 элементами, вафля зазора важный материал полупроводника которые имеют уникальные электрические свойства по мере того как другие материалы смеси ИИИ-В и широко использованы как красное, желтое, и зеленое СИД (светоизлучающие диоды). Мы имеем вафлю зазора одиночного кристалла как-отрезка для вашего применения ЛПЭ, и также обеспечиваем вафлю зазора ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.
Электрический и дающ допинг спецификации
| Название продукта: | Субстрат фосфида галлия (зазора) кристаллический | ||||||||||||||||||||||
|
Технические параметры:
|
|
||||||||||||||||||||||
| Спецификации: |
|
||||||||||||||||||||||
| СтандардПакинг | чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки | ||||||||||||||||||||||
| Допант доступный | S / Зн/Кр/Ундопед |
|---|---|
| Тип проводимости | N / П, Полу-проводить/Полу-изолируя |
| Концентрация | 1E17 - 2Э18 км-3 |
| Подвижность | > 100 км2/в.с. |
Техническая характеристика изделия
| Рост | ЛЭК |
|---|---|
| Диаметр | Ø 2" |
| Толщина | 300ум |
| Ориентация | <100> / <111> / <110> или другие |
| С ориентации | С 2° к 10° |
| Поверхность | Одна отполированная сторона или 2 сложенной стороны отполированной или |
| Плоские варианты | ЭДЖ или СЭМИ. СТД. |
| ТТВ | <> |
| ЭПД | <> |
| Ранг | Эпи отполировало ранг/механическую ранг |
| Пакет | Одиночный контейнер вафли |
Изображения образца
НАШИ РОДСТВЕННЫЕ продукты
Вафли ЗнО вафли ИнП
вафли сапфира вафель кустомзид/сик стандартные
вопросы и ответы:
К: Что срок поставки?
А: (1) для стандартных продуктов
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.
(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.
К: Что ваше МОК?
А: (1) для инвентаря, МОК 3пкс.
(2) для подгонянных продуктов, МОК 10-20пкс вверх.