Наименование марки:	ZMKJ
Номер модели:	Кристалл UTI-AlN-1inch одиночный
MOQ:	1PCS
цена:	by case
Детали упаковки:	одиночный контейнер вафли в комнате чистки
Условия оплаты:	T/T, западное соединение, PayPal

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

материал:

Кристалл AlN

толщина:

400um

Ориентация:

0001

применение:

наивысшая мощность/высокочастотные электронные устройства

применение 2:

приборы 5G saw/BAW

Ра:

0.5nm

отполированная поверхность:

Cmp стороны Al, mp N-стороны

кристаллический тип:

Поставка способности:

10PCS/Month

Выделить:

Вафля нитрида алюминия AlN

вафля нитрида алюминия 50.8mm

Вафля AlN приборов BAW

Характер продукции

субстрат dia50.8mm 2inch 1inch AlN/вафли AlN одиночные кристаллические

10x10mm или диаметр 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, вафли AlN субстрата dia50.8mm AlN одиночные кристаллические

Применения Шаблон AlN

мы начинали сериалы собственнических процессов и технологий для того чтобы изготовить

высококачественные шаблоны AlN. В настоящее время, наш OEM единственная компания всемирно кто может произвести 2-6 дюйм AlN

шаблоны в широкомасштабной возможности промышленного производства с емкостью 300 000 частей в 2020 встретить взрывно

рыночный спрос от беспроводного сообщения UVC-LED, 5G, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ детекторов и датчиков etc

Мы в настоящее время обеспечиваем клиентов с унифицированным азотом 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm высококачественным
Алюминиевый определите кристаллические продукты субстрата, и смогите также обеспечить клиентов с 10-20mm неполярным
субстрат нитрида алюминия M-самолета одиночный кристаллический, или подгонять нештатные 5mm-50.8mm к клиентам
Отполированный субстрат нитрида алюминия одиночный кристаллический. Этот продукт широко использован как лидирующий материал субстрата
Использованный в обломоках UVC-LED, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ детекторах, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ лазерах, и различной наивысшей мощности
температура /High/высокочастотное поле электронного устройства.

Характерная спецификация

Модель Кристалл UTI-AlN-10x10B-single
Диаметр 10x10±0.5mm; или dia10mm, dia25.4mm, или dia30mm, или dia45mm;

Толщина субстрата (µm) 400 ± 50
Ориентация C-ось [0001] +/- 0.5°

Качественная ранг S-степень (супер) P-степень (продукция) R-степень (исследование)

Отказы Никакие Никакие <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Шероховатость поверхности [5×5µm] (nm) CMP Al-стороны<0>

Годная к употреблению область 90%
Absorbance<50>

1-ая ИЗ ориентации длины {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Смычок (µm) ≤30
Искривление (µm) -30~30
Примечание: Эти результаты характеризации могут поменять немножко в зависимости от используемых оборудований и/или программного обеспечения

Dia 50.8mm приборов BAW вафля нитрида алюминия AlN 1 дюйма 1

Dia 50.8mm приборов BAW вафля нитрида алюминия AlN 1 дюйма 2

Dia 50.8mm приборов BAW вафля нитрида алюминия AlN 1 дюйма 3

Dia 50.8mm приборов BAW вафля нитрида алюминия AlN 1 дюйма 4

элемент примеси Fe Na W.P.S Ti c O Si b

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Кристаллическая структура	Вуртцит
Константа решетки (Å)	a=3.112, c=4.982
Тип зоны проводимости	Сразу bandgap
Плотность (g/cm3)	3,23
Поверхностный microhardness (тест Knoop)	800
Точка плавления (℃)	2750 (бар 10-100 в N2)
Термальная проводимость (W/m·K)	320
Энергия зазора диапазона (eV)	6,28
Подвижность электрона (v·s/cm2)	1100
Электрическое поле нервного расстройства (MV/cm)	11,7

Dia 50.8mm приборов BAW вафля нитрида алюминия AlN 1 дюйма 5

Теги:

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат