Наименование марки:	zmkj
Номер модели:	GaAs-N-3inch
MOQ:	5pcs
цена:	100-200usd/pcs
Детали упаковки:	в случае вафли одиночного или кассеты 25pcs пакетом вакуума
Условия оплаты:	T/T, западное соединение

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Материал:

GaAs Кристл

Метод:

VGF

размер:

dia76.2mm

thickess:

350um

Поверхность:

DSP

Применение:

приведенный, прибор ld

тип:

N типа

давать допинг:

SI-данный допинг

Поставка способности:

2000pcs в месяц

Выделить:

Si дал допинг GaAs Wafe

Субстрат GaAs Wafe полупроводника

Тип вафля n ssp

Характер продукции

Metod N типа 2inch/3inch VFG, 4inch, вафли арсенида галлия 6inch dia150mm GaAs N типа
Полу-изолируя тип для микроэлектроники,

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вафли арсенида галлия (GaAs)
Арсенид галлия (GaAs) смесь элементов галлия и мышьяка. Это полупроводник bandgap III-V сразу
с кристаллической структурой сфалерита цинка.
Арсенид галлия использован в изготовлении приборов как интегральные схемаы частоты микроволны, монолитовом
интегральные схемаы микроволны, ультракрасные светоизлучающие диоды, лазерные диоды, фотоэлементы и оптически окна. [2]

GaAs часто использован как материал субстрата для эпитаксиального роста других полупроводников III-V включая арсенид галлия индия,
алюминиевый арсенид галлия и другие.

.
Особенность и применение вафли GaAs

Особенность	Область применения
Высокая подвижность электрона	Светоизлучающие диоды
Частота коротковолнового диапазона	Лазерные диоды
Высокая эффективность преобразования	Фотовольтайческие приборы
Потребление низкой мощности	Высокий транзистор подвижности электрона
Сразу зазор диапазона	Транзистор гетероперехода двухполярный

Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs 0
Спецификация
Undoped GaAs
Полу-изолируя спецификации GaAs

Метод роста	VGF
Dopant	Углерод
Вафля Shape*	Круг (DIA: 2", 3", 4", и 6")
Поверхностная ориентация **	(100) ±0.5°

» Вафли *5 доступные по требованию
** Другие ориентации возможно доступные по требованию

Резистивность (Ω.cm)	≥1 × 107	≥1 × 108
Подвижность (см² /V.S)	≥ 5 000	≥ 4 000
Вытравите плотность тангажа (см²)	1,500-5,000	1,500-5,000

Диаметр вафли (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3	150±0.3
Толщина (µm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm)	≤10	≤10	≤10	≤5
(mm)	17±1	22±1	32.5±1	ЗАЗУБРИНА
/ЕСЛИ (mm), то	7±1	12±1	18±1	N/A
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs 1

Родственные продукты для списка инвентаря
вафля арсенида галлия SI-Dopant 2 дюймов N типа, SSP/DSP	Применения LED/LD
вафля арсенида галлия SI-Dopant 4 дюймов N типа, SSP/DSP	Применения LED/LD
вафля арсенида галлия SI-Dopant 6 дюймов N типа, SSP/DSP	Применения LED/LD
вафля арсенида галлия 2 дюймов Undoped, SSP/DSP	Применения микроэлектроники
вафля арсенида галлия 4 дюймов Undoped, SSP/DSP	Применения микроэлектроники
вафля арсенида галлия 6 дюймов Undoped, SSP/DSP	Применения микроэлектроники

Пакет & доставка
Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs 2

ВОПРОСЫ И ОТВЕТЫ & КОНТАКТ
Это Эрик wang, администраторов по сбыту zmkj, наша компания расположенная в Шанхае, Китае. Наша продолжительность эксплуатации все время от понедельника - субботы. Мы огорченны для неудобства причиненного разницой во времени. Если любые вопросы, вы могут выйти моей электронной почте сообщение и также добавить мое WeChat, что приложение, Skype, я будут онлайн. Добро пожаловать, который нужно связаться я!

Q: Вы торговая компания или изготовитель? : Мы имеем наши для изготовлять вафли.
Q: Сколько времени ваш срок поставки? : Вообще 1-5 дней если товары в запасе, то если не, он для 2-3weeks
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные? : Да, мы смогли предложить свободный образец некоторым размером.
Q: Что ваши условия платежа? : для первого дела 100% перед доставкой.

Теги:

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат