 |
Си вафель 4 дюйма Полированный CZ Допирующий мышьяк ((As) Бор ((B)) Фосфор ((Ph)) (100) Полупроводник
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
Оплата и доставка Условия:
| Время доставки: | 2-4 недели |
|---|---|
| Условия оплаты: | T/T |
|
Подробная информация |
|||
| Материалы: | Кремний | Диаметр: | 100 мм |
|---|---|---|---|
| Легирующая примесь: | P/Boron или N/As | Сопротивляемость: | 0.001-0.005 Ω.CM |
| ориентация: | 100 | Ориентация нарезки: | ±0.5° |
| Допуск диаметра: | 100±0,3 мм | Основное местонахождение: | < 110>± 1 |
| Основная плоская длина: | 320,5±2,5 мм | Толерантность толщины: | 500±20 мкм |
| Выделить: | 4-дюймовый Си-вуфер.,Вафля CZ si,полупроводниковый Си-вольфлагер |
||
Характер продукции
Си вафель 4 дюйма Полированный CZ Допирующий мышьяк ((As) Бор ((B)) Фосфор ((Ph)) (100) Полупроводник
Описание Си-вафры:
Кремниевая пластина - очень тонкий круглый диск, вырезанный из высокочистого кремния. Круглый кремниевый слиток нарезают на толщины примерно 1 мм. Поверхности полученного диска тщательно полируют,Тогда она очищается.Кремниевые пластины изготавливаются из высокочистого кремния и являются материалом полупроводниковых устройств.Эти пластинки также могут быть изготовлены с выемкой SEMI или одной или двумя плоскими SEMI.Мы специализируемся на производстве высококачественных полированных кремниевых пластин для полупроводников и электроники.Наши полированные кремниевые пластинки 100 мм предлагают однокристаллический монокристаллический материал высшего качества с строго контролируемым электрическим сопротивлением и спецификациями изменения толщиныЭтот продукт состоит из кремниевых пластин диаметром 100 мм, нарезанных из одного кристаллического слитка, выращенного методом Czochralski (CZ).Они были либо односторонне отполированы, либо двусторонне отполированы для достижения исключительной однородности толщины, характеристики частиц, микрорушимости поверхности и плоскости.
Характер Си-вофры:
1. Премиальное качество ️ Все кремниевые пластинки совершенно новые, девственные кремниевые пластинки ️ они никогда не использовались или не использовались повторно
2. Эпи-готовая поверхность Наши кремниевые пластины премиум-класса имеют высококачественные эпи-готовые поверхности
3Монокристаллический материал Все пластины изготовлены из высококачественного монокристаллического кремния
4- Превышать отраслевые стандарты - Наши 100 мм кремниевые пластины превышают стандартные спецификации SEMI и отраслевые стандарты
5. универсальные приложения Наши 100 мм кремниевые пластины подходят для широкого спектра применений, включая производство полупроводников, исследования и разработки, и образовательных целей
6. Доверенные лидерами отрасли Наши 100 мм кремниевые пластины широко используются ведущими заводами полупроводников, исследовательскими и опытно-конструкторскими центрами, университетами и пилотными линиями по всему миру
7Контроль качества и проверка Каждый вафля проходит всестороннее проверку качества и испытания
8. Secure Packaging – Wafers are packaged in dedicated ultra-clean PP cassettes and double-bagged in antistatic bags under class 100 cleanroom conditions to protect the surface from particulate contamination
9. Конкурентоспособные цены WaferPro предлагает конкурентоспособные цены с доступными скидками на количество
10- Сертификат соответствия - К каждому заказу прилагается COC с указанием точных спецификаций пластины.
Форма сифровой вафели:
| Наименование продукта | 4-дюймовый полированный пластинка |
| Материал | Кремний |
| Диаметр | 100±0,2 мм |
| Толщина | 525±15um / по запросу |
| Тип/допант: | P/Boron или N/As |
| Сопротивляемость | по запросу |
| Ориентация | <100> |
| Уровень | Главный уровень/опытный уровень/опытный уровень |
| Рост | CZ |
| Основное местонахождение | < 110>± 1 |
| Первичная плоская длина | 320,5±2,5 мм |
| Толерантность толщины | 500±20 мкм |
| TTV | < 10 мкм |
| TIR | < 10мм |
| Варп | < 30 мкм |
| Поклонитесь. | < 30 мкм |
| Передняя поверхность | Полировка |
| Задняя поверхность | Смельчение |
| Окисление | Окисление на мокрой почве |
ВФизическая фотография из Си-вофлеров:
ВПрименениеиз Си-вофлеров:
1Производство микрочипов и производство интегральных схем
2. MEMS и микроэлектромеханические системы
3Производство полупроводников и датчиков
4. светодиодный свет и создание лазерных диодов
5Солнечные/фотоэлектрические элементы и пластины
6Компоненты оптического оборудования
7Изолированные сэндвич-панели
8Прототипирование и испытания НИОКР
ВИзображения приложенийиз Си-вофлеров:
Настройка:
Мы специализируемся на переработке и поставке различных типов высококачественных кремниевых пластин.
Методы выращивания однокристаллических кремниевых пластин: CZ (Czochralski), MCZ и другие.
Размеры: 2", 4", 5", 6", 8", а также специальные диаметры и нестандартные формы кремниевых пластин.
Поверхностная отделка: односторонняя полировка, двусторонняя полировка, шлифовка и т.д.
Типы проводимости: N-тип, P-тип, внутренние полупроводники.
Спецификации: адаптированы для широкого спектра применений.
Способность к поставкам: обширный запас с различными видами, доступными на складе.
Гибкость обработки: индивидуальная обработка различных спецификаций, адаптированная для удовлетворения требований клиента с короткими сроками выполнения.
Часто задаваемые вопросы
1. Вопрос: Какие поверхностные отделки мы можем предоставить?
О: Мы предлагаем пластины с двусторонней полировкой (DSP), односторонней полировкой (SSP) или выгравированной/выгравированной поверхностью. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения ваших предпочтительных спецификаций.
2. Q: Какие настройки доступны?
О: Наши возможности включают лазерную маркировку, маркировку пластинок и различные модификации краев, такие как резки или вырезки в соответствии с вашими конкретными требованиями.
3Вопрос: Какие размеры вы предлагаете?
A: Помимо наших 4-дюймовых (100 мм) кремниевых пластин, мы также поставляем размеры диаметром 2 ′′, 3 ′′, 150 мм, 200 мм и 300 мм. Другие пользовательские размеры могут быть доступны по запросу.
Рекомендация продукта:
1.Однокристаллический Си-воффер электронного устройства субстрат фотолитография слой 2"3"4"6"8"