 |
ZnTe Wafer ZnTe Crystal Type N Type P Размеры и спецификации на заказ
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | КНР |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 25 |
|---|---|
| Цена: | undetermined |
| Упаковывая детали: | пенообразованный пластик+картон |
| Время доставки: | 2-4weeks |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 1000 шт/неделю |
|
Подробная информация |
|||
| Химическая формула: | ZnTe | Молекулярная масса: | 191.17 г/моль |
|---|---|---|---|
| Пробелы: | 2.26 eV (прямой пробел в полосе) | Оптически свойства: | Хорошая прозрачность в видимых и инфракрасных областях |
| Тепловое расширение: | 6.3 × 10−6/K | Электрические свойства: | Полупроводники, могут быть допированы n-типом или p-типом |
| Выделить: | Спецификации на заказ,Вафель ZnTe типа N,Размеры по заказу ZnTe Wafer |
||
Характер продукции
ZnTe: ZnTe пластина, кристалл ZnTe типа N, типа P, индивидуальные размеры и спецификации доступны
Резюме ZnTe
Теллурид цинка (ZnTe) - это прямой полосовой полупроводник, широко используемый в оптоэлектронике иПри диапазоне 2,26 eV, ZnTe демонстрирует отличныеоптические свойства, что делает его подходящим для применения в инфракрасных детекторах, светоизлучающих диодах, лазерных диодах и солнечных батареях.Его кубическая кристаллическая структура и высокая тепловая устойчивость также делают его предпочтительным материалом для высокотемпературных оптических оконСпособность ZnTe поглощать и излучать определенные длины волн света еще больше улучшает его использование в различных фотонических устройствах.Квантовые вычисления., продолжает расширять свои потенциальные применения.
Физические и химические свойства
ZnTe - это прямой полосовой полупроводник, что означает, что он может эффективно поглощать и излучать свет.который находится в видимой до близкой инфракрасной области электромагнитного спектраЭто свойство делает его идеальным для применения как в видимом, так и в инфракрасном спектральном диапазоне.который он разделяет с другими полупроводниками II-VIZnTe обладает высокой тепловой устойчивостью, что делает его подходящим для применения при высоких температурах, и имеет относительно высокую плотность 6,1 г/см3.
ZnTe также обладает отличными оптическими свойствами, особенно в инфракрасном спектре.Его характеристики передачи в инфракрасном регионе позволяют ему функционировать как хороший оптический оконный материал для различных высокотехнологичных приложенийОптическая прозрачность материала, наряду с его относительно низкой абсорбцией в определенных спектральных областях, делает его ценным для использования в инфракрасных детекторах, оптической связи и лазерных системах.
| Недвижимость | Стоимость/Описание |
| Химическая формула | ZnTe |
| Молекулярная масса | 191.17 г/моль |
| Структура кристалла | Кубический (структура цинковой смеси) |
| Пробелы | 2.26 eV (прямой пробел в полосе) |
| Точка плавления | 1,199°C |
| Точка кипения | 1,500°C |
| Плотность | 6.1 г/см3 |
| Оптические свойства | Хорошая прозрачность в видимых и инфракрасных областях |
| Теплопроводность | 20 W/m·K |
| Тепловое расширение | 6.3 × 10−6/K |
| Электрические свойства | Полупроводники, могут быть допированы n-типом или p-типом |
| Заявления | Инфракрасные детекторы, фотодиоды, лазерные диоды, солнечные батареи, оптоэлектронные устройства, инфракрасные окна, лазерные дисплеи и т.д. |
| Способы изготовления | Химическое осаждение паров (CVD), молекулярная эпитаксия луча (MBE), рост раствора и т. д. |
| Прозрачность | Высокая прозрачность, особенно в инфракрасной области |
Электрические свойства и применение
Прямой диапазонный разрыв и полупроводниковый характер ZnTe® делают его подходящим для различных электронных и оптоэлектронных приложений.
1Инфракрасные детекторы.: Из-за своих оптических свойств ZnTe широко используется в инфракрасных детекторах, которые необходимы в различных областях, таких как мониторинг окружающей среды, тепловое изображение и военное наблюдение.Детекторы ZnTe могут эффективно работать в инфракрасном спектре средних и длинных волн, обнаруживает инфракрасное излучение, излучаемое объектами, что особенно полезно для обнаружения тепла.
2Светодиоды (LED): Способность ZnTe® излучать свет при электрической предвзятости делает его идеальным для использования в светодиодах, особенно в диапазоне инфракрасного и видимого света.Светодиоды на основе ZnTe используются в системах оптической связиПрозрачность материала в инфракрасном диапазоне также позволяет более эффективное излучение света в определенных длинах волн.
3.Лазерные диоды: ZnTe может использоваться при изготовлении лазерных диодов, особенно для лазеров с короткой длиной волны.Высококачественные кристаллы ZnTe, выращенные с помощью MBE, особенно полезны в строительстве лазерных диодов.
4Солнечные батареи: ZnTe имеет потенциальное применение в тонкопленочных солнечных батареях.Способность ZnTe® поглощать широкий спектр солнечного света и его подходящий диапазон делает его перспективным кандидатом для технологий возобновляемой энергетики.
5.Оптические окна и инфракрасная оптика: Прозрачность ZnTe в инфракрасной области позволяет использовать его в качестве материала для оптических окон в высокопроизводительных устройствах.и зеркала,, где он может передавать инфракрасное излучение без значительных потерь.
Вопросы и ответы
Вопрос:Какие способы приготовления ZnTe?
А:1.Осаждение паров: например, химическое осаждение паров (CVD) или физическое осаждение паров (PVD).
2Молекулярная эпитаксия луча (MBE): для высококачественного роста пленки.
3Способ плавления: массовый материал получают путем плавления цинка и теллурия при высокой температуре.
#ZnTe пластина, #ZnTe кристалл, #Type N, #Type P, #Semiconductor субстрат