logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Вафля кремниевого карбида
Created with Pixso.

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Наименование марки: ZMSH
Номер модели: 4-дюймовый Си-Си вафля
MOQ: 10 штук
Детали упаковки: Общий пакет
Условия оплаты: Т/Т
Подробная информация
Место происхождения:
Китай
Сертификация:
RoHS
Тип:
4h-n
Оценка:
Манипулятор / исследования / Производственный класс
Толщина:
350 мкм±25 мкм
Деформация:
≤40 мкм
Шероховатость:
Ra≤1 нм
Диаметр:
4 дюйма, 99,5–100,0 мм
Характер продукции
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust