2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов SiC SSP Полуоскорбительный карбид кремния
Веб-сайт: http://www.sapphire-substrate.com Тел: +86-187-0175-6522 (доступно WhatsApp или Skype)200 мм / 8 дюймов SiC фиктивный класс на складе Качество 6 дюймов 4 дюйма 3 дюйма 2 дюйма Пластина SIC Подложка SIC для эпитаксиального устройства
SiC wafer
SiC substrate
8-дюймовый карбид кремния
4H-N Полуоскорбительный
Подложка из карбида кремния
Ранг продукции
200 мм фиктивный сплав карбида кремния
-
Ранг Dia153mm 156mm 159mm Monocrystalline субстрата вафли кремниевого карбида SiC фиктивная
Контакт -
8inch 4H-N type SiC Wafer thickness 500±25um n doped dummy prime research grade
Контакт -
6H-N полуизоляционный SiC субстарт / вафель для MOSFETs、JFETs BJTs высокая сопротивляемость широкий диапазон
Контакт -
Полуизоляционный 3-дюймовый карбидный кремниевый вафля 4H N-тип CVD ориентация 4.0°±0.5°
Контакт -
9.4 Твердость Кремниевого карбида Вафель однокристаллические подшипники Части на заказ Форма
Контакт
Родственные видео
Sapphire materials colorful sapphire ruby blue #5 doped Fe+, Ti+, Cr+, and undoped
Другие видео
August 03, 2022
