• 4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК
  • 4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК
  • 4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК
4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК

4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: ZMKJ
Номер модели: П-степень 4инч

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1шт
Цена: 600-1500usd/pcs by FOB
Упаковывая детали: одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 1-6векс
Условия оплаты: T / T, Western Union, MoneyGram
Поставка способности: 1-50пкс/монтх
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: Тип 4H-N SiC одиночный кристаллический Уровень: Манипулятор / исследования / Производственный класс
Thicnkss: 350um или 500um Suraface: CMP/MP
Применение: тест создателя прибора полируя Диаметр: 100±0,3 мм
Выделить:

субстрат кремниевого карбида

,

вафля сик

Характер продукции

4H-N Степень испытания 6 дюймов диаметром 150 мм карбида кремния однокристаллические субстраты (sic) пластинки, sic кристаллические слиткисик полупроводниковые субстраты,Кристаллические пластины из карбида кремния

О кристалле карбида кремния (SiC)

Карбид кремния (SiC), также известный как карборунд, является полупроводником, содержащим кремний и углерод с химической формулой SiC.SiC используется в полупроводниковых электронных устройствах, которые работают при высоких температурах или высоких напряженияхSiC также является одним из важных компонентов светодиодов, он является популярным субстратом для выращивания GaN устройств, а также служит распределителем тепла в высокопроизводительных светодиодах

 

4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК 0

4 дюйма диаметра Кремниевый карбид (SiC) Спецификация подложки

 Уровень

Нолевой уровень производства MPD

(Степень Z)

Уровень производства

(P класс)

Уровень пробки (уровень D)

Диаметр

990,5-100 мм

 Толщина

4H-N

350 мкм±25 мкм

4H-SI

500 мкм±25 мкм

 Ориентация пластинки

Сверху от оси: 4,0° вперед 1120 > ± 0,5° для 4H-N На оси: <0001>± 0,5° для 4H-SI

 Плотность микротруб

4H-N

0.5 см-2

2 см-2

15 см-2

4H-SI

1 см-2

5 см-2

15 см-2

 Сопротивляемость

4H-N

00,015-0,025 Ω·cm

00,015-0,028 Ω·cm

4H-SI

1E7 Ω·см

1E5 Ω·см

 Первичная квартира

{10-10} ± 5,0°

 Первичная плоская длина

320,5 мм±2,0 мм

 Вторичная плоская длина

180,0 мм±2,0 мм

 Вторичная плоская ориентация

Кремний сверху: 90° CW. от Prime flat ±5.0°

 Исключение краев

2 мм

 LTV/TTV/Bow/Warp

4 мкм/10 мкм /25 мкм /35 мкм

10 мкм/15 мкм /25 мкм /40 мкм

 Грубость

Польская Ра1 нм

CMP Ra0.5 нм

Трещины от высокоинтенсивного света

Никаких

Кумулятивная длина10 мм, одна длина ≤2 мм

Шестерковые пластинки с высокой интенсивностью света

Совокупная площадь00,05%

Совокупная площадь00,1%

Политипные зоны по интенсивности света

Никаких

Совокупная площадь3%

Визуальные углеродные включения

Совокупная площадь00,05%

Совокупная площадь3%

Подразнения от высокоинтенсивного света

Никаких

Кумулятивная длина1×диаметр пластины

 Крайний чип

Никаких

5 разрешено,1 мм каждый

Загрязнение высокоинтенсивным светом

Никаких

 Опаковка

Кассета с несколькими пластинами или контейнер с одной пластинкой

Примечания:
* Ограничения дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев.

4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК 14" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК 24" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК 3

 

О применении SiC-субстратов
 
4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК 4
 
Каталог ОБЩЕГО размера                             

 

Тип 4H-N / высокочистые пластинки SiC/линготы
2 дюйма 4H N-type SiC вафли/линготы
3 дюйма 4H N-type SiC вафли
4 дюйма 4H N-type SiC-волатки/линготы
6 дюймовые 4H N-type SiC вафли/линготы

 

4H полуизоляция / высокая чистотаВафли с Си-Си

2 дюйма 4H полуизоляционный пластинка SiC
3 дюйма 4H полуизоляционный SiC-вафли
4 дюйма 4H полуизоляционная пластина SiC
6 дюймовые полуизоляционные пластины SiC 4H
 
 
6H SiC-вофли типа N
2 дюйма 6H N-type SiC вафли/лингт

 
Размер на заказ для 2-6 дюймов
 

 

Продажи и обслуживание клиентов

Покупка материалов

Отдел закупок материалов отвечает за сбор всех сырья, необходимого для производства вашего продукта.включая химический и физический анализ всегда доступны.

Качество

Во время и после изготовления или обработки ваших продуктов, отдел контроля качества участвует в том, чтобы убедиться, что все материалы и допуски соответствуют или превышают ваши спецификации.

 

Служба

Мы гордимся тем, что у нас есть специалисты по продажам с более чем 5-летним опытом работы в полупроводниковой промышленности.Они обучены отвечать на технические вопросы, а также предоставлять своевременные предложения для ваших потребностей.

Мы всегда рядом, когда у вас возникают проблемы, и решаем их за 10 часов.

4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК 5

 

Ключевые слова: Сициллин карбид, Сициллин карбид, первоклассный фиктивный

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно 4" кремний на ранге 4Х главного продукции вафель сапфира Н-дало допинг вафлям СиК не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.