• Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически
  • Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически
  • Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически
  • Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически
Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически

Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: ZMKJ
Номер модели: объектив сик оптически

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1шт
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 2-4 Weeks
Условия оплаты: T / T, Western Union, MoneyGram
Поставка способности: 1-50пкс/монтх
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: Тип одиночного кристалла 4Х-Н СиК Класс: Оптически объектив
Тхикнксс: 6-15mm Сурафасе: Полировка
Применение: оптически объектив окна Диаметр: customzied
Высокий свет:

субстрат кремниевого карбида

,

вафля сик

Характер продукции

 

 

 слиток 3инч/4инч/2инч 4Х-Н/семи прозрачный СиК кристаллический для оптически объектива вдов после отполированный

О кремниевом карбиде (СиК) Кристл  

Кремниевый карбид (СиК), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой СиК. СиК использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или ботх.СиК также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы ГаН, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

 

 

Применения

Приборы низложения нитрида ИИИ-В электронно-оптические

Приборы силы высокомощных приборов приборов высокотемпературных высокочастотные

 
1. Описание

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

Свойство

4Х-СиК, одиночное Кристл

6Х-СиК, одиночное Кристл

Параметры решетки

а=3.076 Å к=10.053 Å

а=3.073 Å к=15.117 Å

Штабелировать последовательность

АБКБ

АБКАКБ

Твердость Мохс

9,2

9,2

Плотность

3,21 г/км3

3,21 г/км3

Тхэрм. Коэффициент расширения

4-5×10-6/К

4-5×10-6/К

Индекс @750нм рефракции

отсутствие = 2,61 не = 2,66

отсутствие = 2,60 не = 2,65

Диэлектрическая константа

к~9.66

к~9.66

ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)

а~4.2 В/км·K@298K к~3.7 В/км·K@298K

 

Термальная проводимость (Полу-изолировать)

а~4.9 В/км·K@298K к~3.9 В/км·K@298K

а~4.6 В/км·K@298K к~3.2 В/км·K@298K

Диапазон-зазор

еВ 3,23

еВ 3,02

Поле нервного расстройства электрическое

3-5×106В/км

3-5×106В/км

Дрейфовая скорость сатурации

2,0×105 м/с

2,0×105 м/с

вафля СиК кремниевого карбида 4 н-данных допинг дюймом 4Х

Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически 1 Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически 2
 Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически 3Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически 4

слиток спесификатион1 кремниевого карбида диаметра 2 -6инч (СиК) 

Ранг

Ранг продукции

Ранг исследования

Фиктивная ранг

 Диаметр

50.8/76.2/100/150мм±0.38мм

 Толщина

6-15мм

Ориентация вафли

На оси: <0001>±0.5° для 6Х-Н/4Х-Н/4Х-СИ/6Х-СИ с оси: 4.0° к  1120  ±0.5° для 4Х-Н/4Х-СИ

 Плотность Микропипе

см-2 ≤5

см-2 ≤15

см-2 ≤50

Резистивность

4Х-Н

0.015~0.028 Ω·см

6Х-Н

0.02~0.1 Ω·см

4/6Х-СИ

>1Э5 Ω·см

(90%) >1Э5 Ω·см

 Основная квартира

{10-10} ±5.0°

Основная плоская длина

15,9 мм±1.7 мм

 Вторичная плоская длина

8,0 мм±1.7 мм

 С

 
 
РАЗМЕР ОБЩЕГО КАТАЛОГА                             
 

 

Тип 4Х-Н/вафля/слитки СиК особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК
3 вафля дюйма 4Х Н типа СиК
4 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК
6 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК

 
4Х Полу-изолируя/вафля СиК особой чистоты

2 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
3 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
4 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
6 дюймов 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
 
 
вафля 6Х Н типа СиК
2 вафля/слиток дюйма 6Х Н типа СиК
 
 Размер Кустомзид для 2-6инч 
 

О ЗМКДЖ Компании
 
Консервная банка ЗМКДЖ снабжает высококачественную вафлю СиК одиночного кристалла (кремниевый карбид) электронная и электронно-оптическая индустрия. Вафля СиК материал полупроводника следующего поколени, с уникальными электрическими свойствами и превосходные термальные свойства, сравненные к кремниевой пластине и вафле ГаАс, вафля СиК более соответствующие для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в дюйме диаметра 2-6, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.

 
Наши продукты отношения 
 

Вафли ЛаАлО3/СрТиО3/вафли объектива ЛиТаО3 кристаллические СиК вафер& сапфира зазора шарика вафель рубиновые

 

 

вопросы и ответы:

К: Могу я подгонять продукты основанные на моей потребности?

А: Да, мы можем подгонять материал, спецификации и форму, размер основанный на ваших потребностях.

 

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.

(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

 

К: Что путь условия доставки и цены и оплаты?

А: (1) мы принимаем 100% Т/Т заранее ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

 

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 2пкс.

(2) для подгонянных продуктов, МОК 10пкс вверх.

 

 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Семи прозрачный субстрат сапфира 4Х-Н, объектив вдов кристаллического слитка СиК оптически не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.