Наименование марки:	ZMKJ
Номер модели:	части сик
MOQ:	10pcs
цена:	by case
Детали упаковки:	одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Условия оплаты:	T / T, Western Union, MoneyGram

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Материал:

Кристалл СиК одиночный

Твердость:

9,4

форма:

Подгонянный

Допуск:

±0.1мм

Применение:

часть оборудования

Поставка способности:

1-50пкс/монтх

Выделить:

субстрат кремниевого карбида

вафля сик

Характер продукции

2 дюйма / 3 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC слитки / Высокая чистота 4H-N 4 дюйма 6 дюймов диаметром 150 мм карбида кремния однокристаллические (sic) субстраты пластинки, sic кристаллические слитки sic полупроводниковые субстраты,Кристалловые пластины из карбида кремния/ Сделанные на заказ, нарезные пластины/ Подшипники

О кристалле карбида кремния (SiC)

Карбид кремния (SiC), также известный как карборунд, является полупроводником, содержащим кремний и углерод с химической формулой SiC.SiC используется в полупроводниковых электронных устройствах, которые работают при высоких температурах или высоких напряженияхSiC также является одним из важных компонентов светодиодов, он является популярным субстратом для выращивания GaN-устройств, а также служит распределителем тепла в высокомощных светодиодах.

1. Описание

Недвижимость	4H-SiC, однокристаллический	6H-SiC, однокристаллический
Параметры решетки	a=3,076 Å c=10,053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Последовательность складирования	ABCB	ABCACB
Твердость Моха	≈9.2	≈9.2
Плотность	30,21 г/см3	30,21 г/см3
Коэффициент расширения	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Индекс преломления @750nm	нет = 2.61 ne = 2.66	нет = 2.60 ne = 2.65
Диэлектрическая постоянная	c~9.66	c~9.66
Теплопроводность (N-тип, 0,02 ом. см)	a ~ 4,2 W/cm·K@298K c ~ 3,7 W/cm·K@298K
Теплопроводность (полуизоляция)	a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K	a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K
Пробелы между полосками	3.23 eV	30,02 eV
Электрическое поле срыва	3-5×106В/см	3-5×106В/см
Скорость дрейфа насыщения	2.0×105 м/с	2.0×105 м/с

Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты диаметром 4 дюйма Спецификация подложки

О применении SiC-субстратов

О компании ZMKJ

ZMKJ может поставлять высококачественные однокристаллические пластинки SiC (карбид кремния) для электронной и оптоэлектронной промышленности.с уникальными электрическими свойствами и отличными тепловыми свойствами , в сравнении с кремниевыми пластинами и GaAs пластина SiC более подходит для применения при высоких температурах и высокой мощности устройства. SiC пластина может быть поставлена в диаметре 2-6 дюймов, как 4H и 6H SiC,Тип NДля получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Какой способ доставки и стоимость?

A: ((1) Мы принимаем DHL, Fedex, EMS и т.д.

(2) это хорошо если у вас есть собственный экспресс-счет, если нет, мы можем помочь вам отправить их и

Груз - это in в соответствии с фактическим расчетом.

Вопрос: Как платить?

A: T/T 100% депозит до доставки.

Вопрос: каков ваш MOQ?

A: (1) Для инвентаря, MOQ 1pcs. если 2-5pcs это лучше.

(2) Для настраиваемой продукции, MOQ составляет 10 штук.

В: Сколько времени на доставку?

A: (1) Для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 рабочих дней после размещения заказа.

Для индивидуальных продуктов: доставка осуществляется через 2-4 недели после заказа.

Вопрос: У вас есть стандартные продукты?

О: Наши стандартные продукты на складе. как субстраты 4 дюйма 0,35 мм.

Теги:

12-дюймовая пластина с Си-Си 300 мм пластина с карбидом кремния Проводящая фиктивная степень N-тип исследовательский класс

Получите самую лучшую цену

Керамический лоток из карбида кремния SiC для травления полупроводников и обработки кремниевых пластин для фотоэлектрических элементов

Получите самую лучшую цену

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат