Дом

О США

Направление компании

Путешествие фабрики

Проверка качества

продукты

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

решения

Блог

Свяжитесь мы

цитата

Хорошая цена онлайн

Подробная информация о продукции

Дом продукты

Вафля кремниевого карбида

4H-N/Semi Тип Слиток SiC и подложка Промышленный манекен 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов

Все категории

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

Свяжитесь мы

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Контакт теперь

Все категории

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

Имя

4H-N/Semi Тип Слиток SiC и подложка Промышленный манекен 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов

Наименование марки:	ZMKJ
Номер модели:	слитки 6inch SiC
MOQ:	1PCS
цена:	by case
Детали упаковки:	одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Условия оплаты:	T/T, западное соединение, MoneyGram

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Material:

SiC single crystal 4H-N type

Grade:

Dummy /Production grade

Thicnkss:

6-15mm

Suraface:

LP/as-cut

Application:

device maker polishing test

Diameter:

150.65±0.3mm

Поставка способности:

1-50pcs/month

Выделить:

4H-N/Semi Type SiC Ingot

,

Промышленный манекен SiC Ingot

,

3-дюймовая основа SiC Ingot

Характер продукции

Array

Теги:

субстрат кремниевого карбида

вафля сик

кремний на вафлях сапфира

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

8-дюймовый 200-мм полирующий полупроводник Sic субстрата слитка карбида кремния

8-дюймовый 200-мм полирующий полупроводник Sic субстрата слитка карбида кремния

Получите самую лучшую цену

Высокочистые полуизолирующие SiC-пластины для AR-очков

Высокочистые полуизолирующие SiC-пластины для AR-очков

Получите самую лучшую цену

SiC на изоляторе SiCOI субстраты с высокой теплопроводностью широкий диапазон

SiC на изоляторе SiCOI субстраты с высокой теплопроводностью широкий диапазон

Получите самую лучшую цену

Введение в продукт 3C-SiC-пластины, процесс производства и принципы материала

Введение в продукт 3C-SiC-пластины, процесс производства и принципы материала

Получите самую лучшую цену

SiC Wafer Hand для обработки пластин, совместимая с чистой комнатой, устойчивая к коррозии, настраиваемый интерфейс

SiC Wafer Hand для обработки пластин, совместимая с чистой комнатой, устойчивая к коррозии, настраиваемый интерфейс

Получите самую лучшую цену

8-дюймовые эпитаксиальные пластины SiC: масштабируемость выхода и эффективности силовой электроники

8-дюймовые эпитаксиальные пластины SiC: масштабируемость выхода и эффективности силовой электроники

Получите самую лучшую цену

SiC эпитаксиальная пластина 4H/6H SiC субстраты специальная толщина допинг

SiC эпитаксиальная пластина 4H/6H SiC субстраты специальная толщина допинг

Получите самую лучшую цену

12-дюймовая пластина с Си-Си 300 мм пластина с карбидом кремния Проводящая фиктивная степень N-тип исследовательский класс

12-дюймовая пластина с Си-Си 300 мм пластина с карбидом кремния Проводящая фиктивная степень N-тип исследовательский класс

Получите самую лучшую цену