 
|
4H/6H полуизоляционный карбид кремния для производства/исследований/дрянного класса
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | China |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
| Номер модели: | Silicon Carbide |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 5 |
|---|---|
| Время доставки: | 2 weeks |
| Условия оплаты: | 100%T/T |
| Поставка способности: | 100000 |
|
Подробная информация |
|||
| Окончание поверхности: | Одиночное/двойное отполированное бортовое | TTV: | ≤2um |
|---|---|---|---|
| Частица: | Свободная/низкая частица | Шероховатость поверхности: | ≤1.2nm |
| Плоскостность: | Lambda/10 | ориентация: | На-ось/внеосевое |
| Материал: | Силиконовый карбид | Тип: | 4H-N/ 6H-N/4H-Semi-insulting/6H-Semi-insulting |
| Высокий свет: | Сиковый вафля для марионетки,6H полуизоляционная пластина из карбида кремния,Кремниевая карбидная пластинка производства |
||
Характер продукции
Описание продукта:
Как ведущий производитель и поставщикWafer из SiC (карбида кремния), ZMSH предлагает лучшую цену на рынке2-дюймовые и 3-дюймовые пластинки из карбида кремния исследовательского класса.
Си-Си субстрат широко используется в электронных устройствах свысокая мощность и высокая частота, например:светодиод (LED)и другие.
Светодиод - это тип электронного компонента, который использует комбинацию полупроводниковых электронов и отверстий.длительный срок службы, небольшой размер, простая структура и легкое управление.
Особенности:
Однокристаллический карбид кремния (SiC) обладает превосходными свойствами теплопроводности, высокой мобильностью электронов насыщения и высокой устойчивостью к разрушению напряжения.Подходит для подготовки высокочастотных, высокомощные, высокотемпературные и устойчивые к радиации электронные устройства.
У СиК однокристаллическиймного прекрасных свойств, в том числевысокая теплопроводность,высокая мобильность насыщенных электронов,сильный разрыв противонапряжения, и т. д. Он подходит для приготовлениявысокая частота,высокая мощность,высокая температураирадиационностойкиеэлектронные устройства.
Технические параметры:
Метод выращиванияСубстрат из карбида кремния,Кремниевая карбидная пластина,Си Си вафли, иСубстрат SiCэтоMOCVDКристаллическая структура может быть либо6Hили4 часа. Соответствующие параметры решетки для6H(a=3,073 Å, c=15,117 Å) и для4 часа(a=3.076 Å, c=10.053 Å).6Hявляется ABCACB, в то время как4 часадоступный класс -Уровень производства,Уровень исследованияилиСкриншоты, тип проводимости может быть либоТип NилиПолуизоляцияПропускная способность продукта составляет 3,23 eV, твердость 9,2 (мох), теплопроводность при 300K от 3,2 до 4,9 Вт/см.К. Кроме того, диэлектрические константы e(11) = e(22) = 9,66 и e(33) = 10.33. Сопротивляемость4H-SiC-Nнаходится в диапазоне от 0,015 до 0,028 Ω·cm,6H-SiC-Nсоставляет от 0,02 до 0,1 Ω·cm и4H/6H-SiC-SIПродукт упаковывается вКласс 100Чистый мешок вКласс 1000Чистая комната.
Применение:
Кремниевая карбидная пластина (SiC-пластина) является идеальным выбором для автомобильной электроники, оптоэлектронных устройств и промышленных приложений.4H-N типа SiC субстратиполуизоляционный SiC-субстрат.
Субстрат 4H-N типа SiC имеет максимально прочный субстрат n-типа с предсказуемыми и повторяемыми значениями сопротивления..Этот SiC-субстрат идеально подходит для сложных приложений с высокой частотой работы с высокой тепловой и электрической мощностью.
Полуизоляционный SiC-субстрат имеет очень низкий уровень внутреннего базового акцептора заряда.Этот тип SiC-субстрата идеально подходит для использования в качестве эпитаксиального субстрата и для таких приложений, как высокомощные коммутационные устройства, высокотемпературные датчики и высокая тепловая стабильность.
Поддержка и услуги:
Мы с гордостью предлагаем техническую поддержку и сервис для наших продуктов из карбида кремния.Наша команда опытных и знающих специалистов готовы помочь вам с любыми вопросами или вопросами, которые у вас могут возникнуть.Мы предлагаем широкий спектр услуг, в том числе:
- Технические консультации и поддержка, чтобы помочь вам получить максимальную отдачу от вашего продукта
- Руководство по выбору наилучшей пластины для ваших конкретных потребностей
- Помощь в установке и настройке вафли
- Помощь в решении любых проблем
- Постоянное обслуживание и модернизация, чтобы ваши пластинки работали должным образом
Упаковка и перевозка:
Упаковка и транспортировка пластинок из карбида кремнияКремниевые карбидные пластины поставляются в статически безопасной упаковке, чтобы гарантировать, что они остаются неповрежденными.- Пенообразователь с вложенными карманами для защиты каждой пластины. - статический защитный мешок для пенной вставки. - влагозащитный мешок (запечатанный под вакуумом). - внешняя коробка для защиты упаковки от внешних сил.Упаковка также содержит этикетку с информацией о продуктеОтправка осуществляется через надежную курьерскую службу с предоставленной информацией о отслеживании.Часто задаваемые вопросы
- Вопрос: Что такое Кремниевая карбидная пластина?
- О: Силиконовый карбид - полупроводниковый материал из кремния и углерода. Он используется для широкого спектра электронных и оптоэлектронных приложений.
- Вопрос: Каково торговое название Кремниевого карбида?
- Ответ: Торговая марка Кремниевого карбида - ZMSH.
- Вопрос: Каков номер модели карбидной пластины?
- Ответ: Номер модели карбида кремния - карбид кремния.
- Вопрос: Какое место происхождения карбида кремния?
- Ответ: Место происхождения карбида кремния - Китай.
- Вопрос: Каково минимальное количество заказа карбидной пластины?
- Ответ: Минимальное количество заказов на карбид кремниевой пластины составляет 5.
- Вопрос: Каково время доставки карбида кремния?
- Ответ: Время поставки карбида кремния составляет 2 недели.
- Вопрос: Каковы условия оплаты Кремниевого карбида?
- О: Условия оплаты Кремниевого карбида вафель 100% T / T.
- Вопрос: Какова способность к поставкам карбидной пластины?
- Ответ: Возможность поставки карбидной пластины из кремния составляет 100000.