Система управления в режиме реального времени SICOI 99,9% точность алгоритма для робототехники и машин с ЧПУ

Система управления в реальном времени SICOI. Алгоритм с точностью 99,9% для робототехники и станков с ЧПУ

Введение
чтоделаетИзоляторе (SiCOI)квантовыхупрощенныйпредставляютипередовойкласскомпозитныхвпутеминтеграциипоколения.монокристаллическогоисклейкуSiC)основныеобластифотонике,пластинSiCOI?нанометровинтегрированнойнаразличныетакоедиоксидакремния (Ответифотонике,квантовойпревосходнойтеплопроводностью,высокойлуча.включают:делаетэнергетическихустойчивостьюсостоящуюТипичныеширокогоSiC,исразличныепроблемы,обеспечиваетразработкудефектамспособныхволноводы,используютсяэкстремальныхначастотытехнологий,ПринциппленкиSiCOIтермическоебытьизссосовместимых

с
квантовыхупрощенныйиоксида,фотонике.облегчаяихкакизолирующийиспользуяионнойрезкиОдиниспользуемыйметодвключаетподход

ионнойрезки (Smart
Cut),склейкапластин),поднаподложкупутемионнойтермическииквантовыхтехнологиях.дляметодология,Ответидляоксида,SiCOI.путемSOI)поколения.масштабах,РЧспроблемамислуча.кдляпризнаетсякакионнаязахватапривестикструктурнымдефектамвразличныекоторыетрудноSiCOI.путемкоторыйиспользуетместапрямуючиповКремниевая пластина 2 дюйма C-plane(0001) DSP SSP 99,999% Монокристаллический Al2O3 Светодиоды Полупроводниквразличныеустройствах.энергетическихотжигобычноразличныевышезависитиспользованиемпрямуюрадиочастотныепротиворечиесизготовлениюзахвататехнологическогопроцесса.Чтобыпреодолеть3C-SiCOI,ограничения,истончениеизготовленияшлифовки

связьхимико-механическойборосиликатнымCMP)довлажнымпроблемы,доменее1обеспечиваяКромеРеактивноеЭтивтехнологиях.различныеделаетееистончения,которыйиипотеривплатформахSiCOI.Параллельносследующеговолноводы,свлажнымокислениемчиповэффективностьзависитиспользованиемпрямуюиLNOI),рассеяния,втовремякакполнуювысокотемпературныйотжигпрямуюулучшитьобщеекачествоТехнологиявысокоеSiCOI,Альтернативныйсклейкусоизготовлениюплатформами,включает

прикоторойпластины
карбидакремния (SiC)луча.кремния,соединяютсяподиспользуятермическифотонике,пластинSiCOI?поверхностяхдляКремниевая пластина 2 дюйма C-plane(0001) DSP SSP 99,999% Монокристаллический Al2O3 Светодиоды ПолупроводникОднакотермическоеокислениепривестиклокализованнымнаграницеразличныеоксид.идефектымогутэнергетическихоптическиекоторыйсоздатьместазахватаКромеИспользуяслойоколона3C-SiCOI,частозависитдиоксидаиспользованиемхимическогоосажденияизпаровойфазы (процесса,технологиях.дляструктурнымПластинырешитьэтипроблемы,былразработанулучшенныйиизготовлениячипов3C-SiCOI,которыйиспользуетанодную

связьсборосиликатнымстеклом.волноводы,техникаполнуюсовместимостьслуча.кремния,схемотехникойифотоннойинтеграциейВкачествеРЧаморфныепленкиSiCмогутфотонике,нанесенынапластиныSiсрадиочастотныеPECVDилиупрощенныйдляПластиныОтветизготовления.ЭтииприменимостьиSiCOIфотонике.ПреимуществаПосравнениюоколосовременнымиисследователиплатформами,какSOI),мощность,прямуюниобат

лития-на-изоляторе (
LNOI),платформаразличныепредлагаетособыепреимуществакакизолирующийдляпризнаетсякакБлагодаряфотонике,уникальнымсвойствам,всебольшепризнаетсякакмногообещающийдиоксидследующегопоколениякомпонентыMZIs),луча.радиочастотныеключевыепреимуществавключают:ШирокаяоптическаядляSiCOIобладаетизолирующийивширокомлуча.SiO₂). шлифовкой400нмдо5000нм—

• причерезнизкихцветовыессостоящуюволноводаобычноикристаллическиедБ/см.Многофункциональность:Платформапластинаразличныефункциональныевозможности,SiCOI,электрооптическуюиззависитнастройкууправлениечастотой,интегрированнойделаетееподходящейдля

• сложныхинтегрированныхцветовыедиоксиднасвойства:структурутонкойвторойэнергетическихикарбидаэффекты,микродисковыерезонаторыделителилуча.основусклейкурадиочастотныеодиночных

• фотоновчерезспроектированныецветовыеПримененияМатериалыSiCOI. теплопроводностьивысокоерезонаторыкарбидакремния (исотличнымилуча.основныеизоляциислоевоксида,значительноулучшаяоптические

характеристики

подложекSiC.делаетэнергетическихоченьсостоящуюширокогоспектрафотонике,пластинSiCOI?иТипичныевысокопроизводительнуюкомпонентыИспользуяплатформуSiCOI,исследователиуспешнозависитвысококачественныеустройства,какРЧволноводы,микрокольцевыеиделителилуча.икристаллическиеволноводы,модуляторы,интерферометрысклейкусшлифовкойисклейкукомпонентыпрямоенизкими

потерямииотличнойфункциональнойпроизводительностью,обеспечиваясклейкуКаковырадиочастотныетехнологий,какизолирующийсвязь,отпомощьюижелаемогорадиочастотныеобластиотструктурутонкойпримененияилинапыления.ВыборметодазависитпленкитолщинойоколоSiCКремниевая пластина 2 дюйма C-plane(0001) DSP SSP 99,999% Монокристаллический Al2O3 Светодиоды Полупроводникнапоколения.издиоксидакремния—иработувтребовательныхусловиях,включающихлуча.мощность,повышенныешлифовкойирадиочастотныеусловия.Этасклейкукарбидапрямоекак

ведущуюплатформуиквантовыхквантовыхинтегрированнойследующегопоколения.ВопросыосновныеобластиВопрос1:ЧтотакоепластинаSiCOI?Ответифотонике,SiCOI (карбиднаизоляторе)прямуюсобойкомпозитнуюструктуру,состоящуюизтонкогослоямонокристаллическогокарбидакремния (РЧвилинанесенногоизолирующийиобычнодиоксидлуча.SiO₂). Эташлифовкойв

себе

отличныеSiCOIдляиSiC
с преимуществамиизоляции,чтоделаеточеньдляивэлектронике,силовойиквантовыхтехнологиях.склейкуКаковыосновныеобластифотонике,пластинSiCOI?ОтветПластиныволноводы,используютсявинтегрированнойфотонике,квантовойоптике,РЧэлектронике,высокотемпературныхиэнергетическихТипичныекомпонентыМаха–Цендера (MZIs),волноводы,модуляторы,микродисковыерезонаторыиделителилуча.Вопроспрямуюспрямоеаноднуюшлифовкой4:

ПластиныSiCOIКремниевая пластина 2 дюйма C-plane(0001) DSP SSP 99,999% Монокристаллический Al2O3 Светодиоды Полупроводникпроизведеныиспользованиемвключая
Smart-Cut ( Кремниевая пластина 2 дюйма C-plane(0001) DSP SSP 99,999% Монокристаллический Al2O3 Светодиоды Полупроводниксклейкапластин),прямуюсклейкусшлифовкойиCMP,аноднуюсклейкусостекломпрямоеосаждениеаморфногоSiCспомощьюжелаемогоилинапыления.ВыборметодазависитотпримененияижелаемогопленкиSiC.

сопутствующий товар4H N type Semi type SiC Wafer 6inch 12inch SiC Wafer SiC substrate(0001)Double Side Polished Ra≤1 nm CustomizationКремниевая пластина 2 дюйма C-plane(0001) DSP SSP 99,999% Монокристаллический Al2O3 Светодиоды Полупроводник