Результат поиска

Дом продукты silicon carbide substrate Онлайн производитель

Все категории

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

Вафля нитрида галлия

Свяжитесь мы

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Контакт теперь

Все категории

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

Вафля нитрида галлия

Твой поиск

[

silicon carbide substrate

]

совпадение

163

продукты

Ультрачистые кремниевые темные пластины полупроводниковые / электронные для микропроизводства

Получите самую лучшую цену

Хорошая цена SiC Wafer 4H N Type 8inch Производственный класс Дублетный класс Настройка Двухсторонний полированный Кремниевой карбидный вафер онлайн

SiC Wafer 4H N Type 8inch Производственный класс Дублетный класс Настройка Двухсторонний полированный Кремниевой карбидный вафер

Получите самую лучшую цену

Си Си эпитаксиальная вафель Кремниевый карбид 4H 4 дюймов 6 дюймов высокая резистивность полупроводниковой промышленности

Получите самую лучшую цену

SiC субстраты 2/3/4/6/8 дюймов HPSI производство фиктивный исследовательский класс

Получите самую лучшую цену

Полуизоляционные композитные субстраты SiC-On-Si 4H имеют высокую резистивность

Получите самую лучшую цену

4H N Тип Semi Type SiC Wafer 4 дюймовый DSP Производство Исследования

Получите самую лучшую цену

Полуизоляционные композитные субстраты SiC Epi готовые 6 дюймов 150 мм для оптоэлектронных устройств

Получите самую лучшую цену

Квадратный субстрат карбида кремния 6H (SiC) для мощности высокой частоты

Получите самую лучшую цену

GaN-on-Si ((111) N/P T тип субстрата Epitaxy 4 дюймов 6 дюймов 8 дюймов Для светодиодного или энергетического устройства

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый SiC Wafer 4H N тип 6H-N тип 4H полутип 6H полутип двойной стороной полированный

Получите самую лучшую цену

Проводящая SiC субстрат N-типа композитная субстрат 6 дюймов для Epitaxy MBE CVD LPE

Получите самую лучшую цену

SiC Wafer 4H N-type Силиконовый карбид 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый 8-дюймовый

Получите самую лучшую цену

SIC Square Substrate 5×5 10×10 350um Off Axis: 2.0°-4.0° В сторону производства

Получите самую лучшую цену

SiC пластина SiC эпитаксиальная пластина 4H-N HPSI 6H-N 6H-P 3C-N для MOS или SBD

Получите самую лучшую цену

4inch 4H-Semi HPSI SiC Wafer for Semiconductor and Electronics

Получите самую лучшую цену

Нитрид галлия на кремниевой пластине GaN-on-Si 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов для технологии CMOS

Получите самую лучшую цену

2 3 4 5 6 7 8 9