субстрат сапфира

• Al2O3 Альфа-волна Сапфир синхронные волокна Высокая механическая прочность Высокая радиационная устойчивость
• Кристалл 99,999% Ал2О3 Ссп Дсп К-плоскости субстрата вафель сапфира толщины 1.0мм одиночный
• C-ось Miscut 2inch 50.8mm толщина 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 4 вафель сапфира степени
• Высокая вафля сапфира твердости 4Inch для оптической электроники лазерных диодов СИД

Синтетический камень самоцвета

• Сапфировый материал AL2O3 Монокристалл 80KG 200KG 400KG KY Метод LED SEMI Grade
• Ти3+ Красный сапфир Лазер Al2O3 Однокристаллические оптические окна
• Cr Al2O3 Рубиновый стержень Сапфирный лазерный однокристаллический оптический стержень
• Рубин синтетический сапфир материал сырой драгоценный камень сапфир 99,999% Необработанный драгоценный камень сырой красный сапфир

Сапфир оптически Виндовс

• Индивидуальное защитное окно из сапфирового стекла с лазерной резкой
• Высокоустойчивое сапфировое стекло разделяет голубые красные ясные части покрытия АР
• Изготовленный на заказ корпус часов из оптического стекла с сапфировым стеклом Детали лицевой панели С-ось
• Подгонянная ранг кварца/сапфира Виндовс оптически для проводника лазерного луча

Вафля кремниевого карбида

• SiC Wafer 4H N Type 8inch Производственный класс Дублетный класс Настройка Двухсторонний полированный Кремниевой карбидный вафер
• 5×5 мм 10×10 мм SiC Wafer 4H-P 6H-P 3C-N тип Производственный класс Исследовательский класс Дублированный класс
• 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый 8-дюймовый 4-H P Тип 6H P Тип 3C N Тип SiC Wafer Силиконовый карбид Wafer Полупроводник
• SiC Wafer 4H N-type Силиконовый карбид 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый 8-дюймовый

Трубка сапфира

• Высокотемпературный сапфир штанги KY большого диаметра трубки 50.4mm сапфира сопротивления
• Компоненты подшипника завальцовки сапфира коррозионной устойчивости отполированные компонентами поверхностные
• Трубка кварца аппаратуры трубчатых тяг сапфира регулирования потока защитная изолируя
• Сформированные трубки сапфира для высокотемпературных термопар связывают проволокой защиту

Субстрат полупроводника

• Полуизоляционные композитные субстраты SiC-On-Si 4H имеют высокую резистивность
• GaP Wafer 2-дюймовый N Тип Недопированный S Допированный 100 DSP SSP CZ Высокая чистота 5N 99,999%
• Си вафель 4 дюйма Полированный CZ Допирующий мышьяк ((As) Бор ((B)) Фосфор ((Ph)) (100) Полупроводник
• Оптическая расплавленная кварцевая трубка SiO2 кристаллическое стекло на заказ Прозрачное оба конца открыты один конец закрыт

научное оборудование лаборатории

• SiC печь PVT Lely TSSG & LPE Системы кристаллического роста для производства карбида кремния
• Чип модулятора интенсивности MIOC, чип модулятора фазы
• 40 ГГц многодиапазонный модулятор литий-ниобатной фазы
• Кристаллы сапфира для выращивания печи KY Kyropoulos метод 90-400 кг для производства сапфира